Mosfet или igbt сварочный инвертор: Страница не найдена — Svaring

Содержание

Igbt или mosfet сварочный инвертор

Применение высоковольтных мощных полупроводников позволило создавать компактные производительные сварочные инверторы. Используемые в инверторах полупроводники по MOSFET технологии — это полевые силовые транзисторы с изолированным затвором. Управление полупроводником осуществляется напряжением, в отличие от биполярных транзисторов, управляемых током. Канал ключа имеет высокую проводимость 1 мОм.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Транзисторы для сварочного инвертора Китай и «оригинал».

Что выбрать: MOSFET или IGBT -инвертор?


STMicroelectronics выпускает несколько серий IGBT-транзисторов и мощных быстродействующих диодов, идеально подходящих для создания инверторов сварочных аппаратов. Эти замечательные качества были подтверждены на практике при испытании MMA-инверторов мощностью 4 и 6 кВт. Рынок сварочного оборудования представляет собой быстроразвивающуюся отрасль силовой электроники.

На сегодня существует множество типов сварочных аппаратов:. Наиболее распространенным типом сварочной технологии является MMA. Она отличается простотой и применяется как в профессиональных, так и в бытовых аппаратах. Структура такого сварочного аппарата достаточно проста и состоит из источника тока, выходного выпрямителя опционально и системы управления рисунок 1. Упрощенная структурная схема сварочного аппарата. Источник тока может быть реализован на базе мощного сетевого трансформатора трансформаторный аппарат , либо на базе инвертора инверторный аппарат.

Главными достоинствами трансформаторных аппаратов являются простота и максимальная надежность, а недостатками — большие габариты, грубое регулирование и низкое качество сварки. Инверторные аппараты, использующие современные полупроводниковые силовые ключи, не имеют этих недостатков. Основными компонентами мощных инверторов являются IGBT-транзисторы и быстродействующие диоды.

Компания STMicroelectronics выпускает силовые электронные компоненты, идеально подходящие для построения сварочных аппаратов [1]:. Принцип работы инверторного сварочного аппарата достаточно прост рисунок 2. Питающее напряжение сети выпрямляется и поступает на вход инвертора. Инвертор преобразует постоянное напряжение в переменное, которое передается в нагрузку через высокочастотный силовой трансформатор. Работу инвертора контролирует система управления СУ.

Увеличивая и уменьшая длительности управляющих импульсов, можно изменять передаваемую в нагрузку мощность. Кроме основных блоков, схема содержит и вспомогательные: корректор коэффициента мощности ККМ и выходной выпрямитель. Структура инверторного сварочного аппарата. Основным блоком инверторного сварочного аппарата является непосредственно инвертор, который может быть реализован по любой из известных топологий.

Среди наиболее часто используемых схем можно отметить push-pull, мостовую, полумостовую, полумостовую несимметричную косой полумост. К вышесказанному стоит добавить, что, во-первых, при выборе транзисторов для инвертора следует обращать внимание не только на рейтинги токов и напряжений, но и на параметры, определяющие мощность потерь.

Во-вторых, требования к низкому напряжению насыщения и высокой рабочей частоте оказываются противоречивыми. Это стало возможным благодаря использованию новейших технологий. Основный причиной ограничения мощности инвертора является перегрев IGBT. Он является следствием потерь мощности, рассеиваемой в виде тепла. Как известно, суммарные потери мощности в IGBT Pd складываются из двух составляющих: потери проводимости Pконд, кондуктивные потери и потери на переключения Pперекл таблица 1.

Кондуктивные потери определяются значением напряжения насыщения Uкэ нас. По этой причине его стараются максимально снизить. Потери на переключения объединяют энергию, затрачиваемую на включение Eвкл и на выключение Eвыкл. Энергия на включение Евкл в большей степени определяется встроенным антипараллельным диодом.

Для оптимизации этого параметра можно использовать внешний диод с лучшими характеристиками меньшее время восстановления или оптимизировать режим переключения переключения при нулевых токах или напряжениях. Энергия на выключение Евыкл определяется эффективностью рекомбинации неосновных носителей в структуре IGBT. Затягивание процесса рекомбинации приводит к появлению токового хвоста рисунок 3 , [2]. Потери на выключение для планарного IGBT. После выключения транзистора число этих накопленных носителей сокращается достаточно медленно, главным образом — за счет неэффективной рекомбинации в низколегированном слое n-.

Это приводит к уменьшению числа носителей, а значит — и к ускоренному процессу рекомбинации. Однако уменьшение числа носителей, очевидно, приведет и к возрастанию напряжения насыщения.

Таким образом, увеличение быстродействия при сохранении напряжения насыщения возможно только благодаря качественным улучшениям и применению новых технологий.

Быстродействие возрастает, но остается достаточно низким. Суть TGFS состоит в изменении структуры затвора, который выполняется в изолированной канавке. Проводящий канал становится вертикальным, что уменьшает эффективную толщину слоя n-. Это, с одной стороны, приводит к снижению напряжения насыщения, а с другой — к уменьшению числа накапливаемых носителей. Наиболее современное поколение IGBT производства STMicroelectronics серии V включает все лучшие технологические решения [2]: TGFS, снижение толщины исходной пластины p-, уменьшение толщин диффузных и эпитаксиальных слоев, увеличение глубины внедрения затвора рисунок 4в.

Это позволяет уменьшить энергию, затрачиваемую на выключение, при сохранении значения напряжения насыщения. Богатый выбор позволяет найти оптимальные транзисторы с учетом требований к конкретному сварочному аппарату и используемой топологии.

Все эти транзисторы отвечают перечисленным выше требованиям и имеют отличные характеристики [1, 4]:. Серия M предназначена для коммутации напряжений до В и токов до 40 А таблица 2. Отличительной особенностью серии является низкое напряжение насыщения не более 2,2 В и малая энергия на переключения от 1,2 мДж.

Это делает данные транзисторы оптимальным выбором для инверторов, работающих на частотах до 20 кГц. Серия H способна коммутировать напряжения до В и токи до 40 А таблица 3. По этой причине они подходят для более высокочастотных приложений и способны работать на частотах до кГц. Серия HB не является основной для построения сварочных инверторов, однако ее характеристики также на высоте таблица 4.

Энергия переключения, во многих случаях не превышает 0,6 мДж. Рабочая частота для представителей семейства достигает 50 кГц. Серия V, как было сказано выше, является флагманом в номенклатуре STMicroelectronics.

Все это позволяет использовать транзисторы серии V в быстродействующих инверторах с максимальной частотой переключения до кГц. Для наименования IGBT представленных серий используется код, состоящий из восьми позиций таблица 6. Он содержит тип компонента, обозначение корпуса, название семейства, напряжение пробоя, наличие диода и его характеристики. Стоит отметить, что версии транзисторов с диодом с низким падением напряжения индекс DL не подходят для работы в составе сварочных инверторов.

Тип: IGBT. Большинство IGBT представленных семейств выпускается в двух вариантах: со встроенным быстродействующим диодом и без него. Характеристики этих диодов достаточно хороши. Однако в случае необходимости требуется применять внешние диоды, например, в схеме асимметричного моста. При этом следует обратить внимание на мощные быстродействующие диоды серии W производства STMicroelectronics.

Мощные быстродействующие диоды серии W разработаны специально для работы в составе мощных импульсных преобразователей с жесткими условиями переключений. Для этого их характеристики соответствующим образом оптимизированы таблица 7 :. Частота переключений составляла 63 кГц. Схема инвертора MMA В ходе испытаний производились замеры входной мощности, входного тока и температуры корпуса транзисторов.

При увеличении входной мощности от 2 кВт до максимальной мощности в 3,8 кВт происходил разогрев транзисторов и рост энергии на выключение таблица 8.

Инвертор показал устойчивую работу во всем диапазоне мощностей. Максимальное значение энергии на выключение IGBT при этом увеличивалось с мДж до мДж, что является хорошим результатом и соответствует заявленному в документации значению таблица 5.

Рабочая частота составила 63 кГц. Для дополнительной защиты транзисторов были применены снабберные RC-цепочки. Инвертор продемонстрировал устойчивую работу во всех режимах и выключился после срабатывания температурной защиты спустя 8 минут 15 секунд после выхода на мощность 5,8 кВт. При увеличении входных токов происходил рост температуры транзисторов и увеличение энергии на выключение таблица 9. Диапазон изменений энергии на выключение составил … мДж, что соответствует заявленному значению.

Проведенные испытания подтвердили отличные характеристики, заявленные производителем. Данные транзисторы отвечают всем необходимым для этого требованиям. Их основными достоинствами являются:. Кроме IGBT, STMicroelectronics предлагает разработчикам мощные быстродействующие диоды серии W, которые отличаются малым временем восстановления и низким прямым падением напряжения.

Отличные характеристики силовых компонентов производства ST подтверждены практикой. Получение технической информации , заказ образцов , заказ и доставка. Компоненты ST широко представлены в окружающих нас потребительских товарах — от iPhone до автомобилей разных марок. Лидеры индустриального рынка выбирают компоненты ST за их надежность и выдающиеся технические параметры.

В компании ST работает 48 сотрудников в 35 странах. Производственные мощности расположены в 12 странах мира. Более 11 тысяч сотрудников заняты исследованиями и разработками — инновационное лидерство Наши информационные каналы. Новости Статьи Вебинары Все записи.

Поколение технологии. Технология Trench gate Field Stop. Встроенный диод: пусто — нет D — быстродействующий DL — с низким падением. Код напряжения пробоя: 60 — В 65 — В — В.


Выбор свар. инвертора, что лучше igbt или mosfet ?

Сначала рассмотрим различия в целом. Основое различие между этими транзисторами — различный ток коммутации. Большим током обладают транзисторы IGBT. Вот собственно в чем и отличие. Тонкость в том, что транзисторы очень сильно греются и их необходимо установить на мощные алюминиевые радиаторы. Чем больше радиатор, тем больше съем тепла с него, а, следовательно, его охлаждающая способность.

Профессиональное сварочное оборудование ELITECH используется в промышленности и строительной сфере. Соответствует директивам 73/23/ ЕЕС.

Есть ли слабые места у сварочных инверторов?

Многие в таких случаях нанимают профессионалов. Однако есть и те, кто предпочитает самостоятельно выполнять все эти работы. Ведь если делаешь сам, то ни от кого не зависишь, никому не платишь и, к тому же, всегда гарантировано ответственное отношение к работе. Однако такие агрегаты недешевы, поэтому приобретать их надо грамотно, с учетом своих настоящих и будущих потребностей и возможностей. На сегодняшний день существует несколько видов сварочного оборудования: сварочные трансформаторы, сварочные выпрямители и сварочные инверторы. Последнему типу и посвящена данная статья. Содержание статьи Виды сварочных инверторов 1. Бытовой сварочный инвертор 2. Профессиональный сварочный инвертор 3. Промышленный сварочный инвертор Другие полезные советы по выбору сварочного инвертора Как выбрать сварочный инвертор.

Сварочные инверторы

Одним из самых популярных способов неразъемного соединения металлов является сварка. Впервые она появилась в начале прошлого века, но и сегодня остается одной из самых востребованных в бытовой и профессиональной сфере. При помощи этого способа можно выполнить различные работы, связанные с ремонтом и изготовлением металлических конструкций. Но так как сплавы содержат различные элементы, то были разработаны не только специальные технологии для из соединения, но и соответствующие инструменты и оборудование.

Поступили ко мне на ремонт как вы помните два аппарата от одного клиента.

Устройство сварочного инвертора

Вам нужны клиенты? Чтобы добавить товары и услуги в каталог Prom. Подать частное объявление. Мобильное приложение. Каталог товаров.

Полезная информация

От До. Ручная дуговая сварка ММА производится штучным электродом. Применяется для сварки углеродистой и нержавеющей стали. Аргонодуговая сварка TIG — ручная сварка неплавящимся вольфрамовым электродом в среде защитного газа аргона. Требует большого опыта оператора. Для стали и алюминиевых сплавов. Сварка порошковой защитной проволокой FCAW — универсальный тип дуговой сварки.

10 шт. FMh33N50E 23N50E 23N50 В 23A инвертор сварочный mane 60T65PES MBQ60T65 MBQ60T65PES трубчатая мощность IGBT транзистор 10 шт. 75NF75 высокий мощный FET инвертор MOS прибор большой чип.

Транзисторы для сварочных инверторов

Итак полгода назад в результати экспериментов над сварочником ему поплохело выбило два транзистора FGh50N60 и раскололся цементированный ограничивающий ток заряда конденсаторов и ватный резистор. Резистор купил в микронике, транзюки в количестве 4-х штук заказал в Китае, ибо у нас они были только в чипидипе и по неадекватной цене. Почти полгода все это пылилось, как то было не до него, ну а щас решил починить. Первым делом был впаян новый резистор, и заменены все 4-е мосфета несмотря на то что два были живыми.

Время чтения: 6 минут. За последние лет технология сварки претерпела значительные изменения. Классические сварочные аппараты были усовершенствованы, а в продаже появились совершенно новые устройства. Наибольший вклад в развитие домашней и любительской сварки внесло изобретение инверторного сварочного аппарата. А если в сварочном аппарате применяется электроника, значит, используются и транзисторы.

Оформление заказа. Товаров: 0 Ваша учетная запись.

STMicroelectronics выпускает несколько серий IGBT-транзисторов и мощных быстродействующих диодов, идеально подходящих для создания инверторов сварочных аппаратов. Эти замечательные качества были подтверждены на практике при испытании MMA-инверторов мощностью 4 и 6 кВт. Рынок сварочного оборудования представляет собой быстроразвивающуюся отрасль силовой электроники. На сегодня существует множество типов сварочных аппаратов:. Наиболее распространенным типом сварочной технологии является MMA. Она отличается простотой и применяется как в профессиональных, так и в бытовых аппаратах.

Войти через. На AliExpress мы предлагаем тысячи разновидностей продукции всех брендов и спецификаций, на любой вкус и размер. Если вы хотите купить транзистор инвертора и подобные товары, мы предлагаем вам позиций на выбор, среди которых вы обязательно найдете варианты на свой вкус. Если конкретные характеристики говорят вам больше, чем непонятные названия, возможно, следующая информация — для вас: по всему объему продукции, найденной по вашему запросу «транзистор инвертора», Тип может варьироваться в весьма широком диапазоне, есть Триодный транзистор , Полевой транзистор, и каких только еще нет.


Mosfet или igbt что надежнее

STMicroelectronics выпускает несколько серий IGBT-транзисторов и мощных быстродействующих диодов, идеально подходящих для создания инверторов сварочных аппаратов. Эти замечательные качества были подтверждены на практике при испытании MMA-инверторов мощностью 4 и 6 кВт. Рынок сварочного оборудования представляет собой быстроразвивающуюся отрасль силовой электроники. На сегодня существует множество типов сварочных аппаратов:. Наиболее распространенным типом сварочной технологии является MMA.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: 🧧#15 Как работает IGBT транзистор. 6кВ 2.5 кА?

IGBT и MOSFET-инверторы — в чем разница?


Витебск, ул. Кутузова, д. Дата включения в торговый реестр РБ: Регистрационный номер Перед покупкой уточняйте комплектацию и необходимые функции товара. BY: Отзывов: Рейтинг магазина: 4. Электро- и пневмоинструмент Электроинструмент Аккумуляторные отвертки Аккумуляторные шуруповерты и дрели Гайковёрты Граверы Дрели Измерительный инструмент Клеевые пистолеты Краскопульты Лобзики Многофункциональные инструменты реноваторы Наборы электроинструмента Ножницы по металлу электрические Отбойные молотки Перфораторы Пилы Радиоприемники Степлеры и гвоздезабиватели Фены промышленные Фрезеры Шлифмашины Штроборезы бороздоделы Электрорубанки.

Пневмоинструмент Аэрографы Гайковерты пневматические Дрели пневматические Другие пневмоинструменты Заклепочники пневматические Краскопульты пневматические Ножницы пневматические Отбойные молотки пневматические Пистолеты пневматические Степлеры пневматические Трещотки пневматические Шлифмашины пневматические Шуруповерты пневматические Наборы пневмоинструмента.

Все для сада Аэраторы Бензобуры мотобуры Воздуходувки Высоторезы Газонокосилки Измельчители Кусторезы Лестницы и стремянки Минитракторы, райдеры Мойки высокого давления Мотоблоки и мотокультиваторы Мотопомпы Насосы для воды Опрыскиватели садовые Полив и орошение Снегоуборочная техника Теплицы и парники Триммеры и мотокосы Цепные пилы. Сантехника Буферные емкости Водонагреватели Инженерная сантехника Радиаторы отопления Садовая сантехника Сантехнический инструмент Сифоны Смесители Фильтры для очистки воды.

Поверхностные насосы Канализационные установки Насосные станции Насосы для дизельного топлива Насосы для промывки теплообменников Насосы для повышения давления Самовсасывающие насосы Мембранные насосы Установки отвода конденсата Фильтр насос для бассейна Циркуляционные насосы.

Погружные насосы Вибрационные насосы Дренажные насосы Колодезные насосы Скважинные насосы Фекальные насосы Фонтанные насосы. Расходка и оснастка Для инструмента Для климатического оборудования Для культиваторов и мотоблоков Для ручного инструмента Для садовой техники Для сантехники Для силового оборудования Для станков Для строительного оборудования Для уборочной техники. Электрика и свет Аккумуляторные батареи Батарейки Кабель и провод Лампочки Низковольтное оборудование Освещение Паяльное оборудование Розетки и выключатели Системы безопасности Таймеры Удлинители и разветвители Устройства защиты и контроля сети Фонарики Электромонтажная продукция.

Ручной инструмент и хозтовары Автомобильный инструмент Для штукатурно-отделочных работ Зажимной инструмент Ключи Малярный инструмент Наборы инструментов Ножовки Отвертки Пистолеты строительные Ручной измерительный инструмент Садовый инструмент и инвентарь Специализированный Столярно-слесарный инструмент Ударно-рычажный инструмент Хозяйственные товары Чехлы, органайзеры сумки Шарнирно-губцевый инструмент Электромонтажный инструмент Ящики для инструментов.

Автосервисное оборудование Автомобильная электроника Автомобильные аксессуары Автомобильный крепеж Автохимия Вспомогательный инструмент Диагностическое оборудование Домкраты Заправочное и смазочное оборудование Кантователи Организация рабочего места Пескоструйное оборудование Рихтовочный инструмент Спец инструмент для авторемонта Съемно-демонтажный инструмент Технические жидкости и смазки.

Первые это полевые транзисторы, как правило каскадированные, вторые — биполярные с изолированным затвором. Преобладающее большинство таких аппаратов собраны на трех платах, тогда как в IGBT на одной. Главный вопрос: каким лучше варить забор? Вопрос специально утрирован до уровня рядового пользователя, чтобы поставить точку в вопросе без лишней матчасти.

Ответ: на уровне сварочного инвертора разницы нет никакой. Преимущества технологии IGBT начинаются на таких токах, где используются трехфазовые аппараты, и потому, если вам нужно сварить забор, то сосредоточитесь лучше на других вопросах выбора.


Внедрение SiC MOSFET приобретает массовый характер

Правила форума. RU :: Правила :: Голосовой чат :: eHam. Показано с 1 по 15 из Добавить тему форума в del. Закладках Разместить в Ссылки Mail.

IGBT- и FRD-модули, а также силовые IGBT/MOSFET-транзисторы: Проще говоря: дешевле, надёжнее, безопаснее, компактнее.

Проверка боем: применение IGBT от ST в составе инверторов сварочных аппаратов MMA

Сначала рассмотрим различия в целом. Основое различие между этими транзисторами — различный ток коммутации. Большим током обладают транзисторы IGBT. Вот собственно в чем и отличие. Тонкость в том, что транзисторы очень сильно греются и их необходимо установить на мощные алюминиевые радиаторы. Чем больше радиатор, тем больше съем тепла с него, а, следовательно, его охлаждающая способность. Чем больше транзисторов, тем больше радиаторов охлаждения необходимо установить, следовательно, увеличиваются габариты, вес и т. IGBT аппараты всегда идут на одной плате. В конструкции САИ Ресанта используется одна маленькая плата, которая устанавливается вертикально, а также 4 IGBT транзистора работают обособленно друг от друга, т.

Полезная информация

Как выбрать сварочный аппарат? В настоящее время рынок предлагает большой выбор сварочных аппаратов китайского производства в различном ценовом диапазоне. Что важно учесть при выборе сварочного аппарата, чтобы покупка служила долго и не принесла разочарований владельцу? Необходимо определиться с выходными параметрами. Чем больше выходной ток и напряжение, тем на большее способен сварочный аппарат, но выбирать аппарат исходя только из максимального значения выходного тока неразумно в основном по причине цены сварочного аппарата, чем выше ток, тем больше цена.

Инверторные сварочные аппараты еще несколько лет назад были диковинкой на нашем рынке.

Что выбрать: MOSFET или IGBT -инвертор?

Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие. Сайт для электриков и домашних мастеров, а также для всех, кто интересуется электротехникой, электроникой и автоматикой. Технологии в области силовой электроники все время совершенствуются: реле становятся твердотельными , биполярные транзисторы и тиристоры заменяются все обширнее на полевые транзисторы, новые материалы разрабатываются и применяются в конденсаторах и т.

MOSFET или IGBT?

Витебск, ул. Кутузова, д. Дата включения в торговый реестр РБ: Регистрационный номер Перед покупкой уточняйте комплектацию и необходимые функции товара. BY: Отзывов: Рейтинг магазина: 4.

МИКРОН-ДИЛЕР-СЕРВИС — Новости.

MOSFET или IGBT?

Забыли пароль? Страница 1 из 3 1 2 3 Последняя К странице: Показано с 1 по 20 из Опции темы Подписаться на эту тему…. Сейчас с появлением IGBT эта ниша занята ими, это средние мощности от нескольких киловатт , электродвигатели и генераторы.

Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Высоковольтные драйверы MOSFET и IGBT фирмы IR

TI представила несколько новых драйверов изолированных затворов, которые обеспечивают мониторинг и защиту высоковольтных систем. Благодаря встроенным компонентам, устройства обеспечивают быстрое время обнаружения для защиты от перегрузок по току, одновременно обеспечивая безопасное отключение системы. Используя технологию емкостной изоляции, UCCQ1, UCCQ1 и UCC максимизируют срок службы барьера изоляции, обеспечивая высокие показатели усиленной изоляции, высокую скорость передачи данных и высокую плотность упаковки. Повышенная надежность на уровне системы: семейство UCCxx продлевает срок службы изоляционных барьеров благодаря технологии емкостной изоляции и лучшим в отрасли показателям усиленной изоляции с помехоустойчивостью до 12,8 кВ. Уменьшенный размер системы: драйверы затвора исключают внешние компоненты со встроенными буферами и датчиками, обеспечивая точное измерение температуры, тока или напряжения, с изолированным датчиком широтно-аналоговой модуляции для упрощения диагностики на уровне системы и предотвращения сбоев переключателя. Поделитесь с друзьями!

Применение высоковольтных мощных полупроводников позволило создавать компактные производительные сварочные инверторы.

Применение igbt транзисторов в инверторе

Разница в транзисторах, друг мой, MOSFET — это полевые транзисторы, как правило каскадированные спараллеленные , засчёт чего дешевле, а IGBT — биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они сами по себе держут намного большие мощности, но намного дороже сами, а также управляющая схема подороже. Преимуществ в сварке — никаких, есть недостатки в сервисном обслуживании. Для IGBT инверторов не так-то просто найти запчасти. В настоящее время параметры и цена ижбт и мосфет элементов очень близки. Существенных преимуществ одной перед другой практически нет в тех диапазонах мощностей, в которых применяются сварочные инверторы.

Выбор свар. инвертора, что лучше igbt или mosfet ?

Некоторые материалы настоящего раздела могут содержать информацию, запрещенную для детей. Полная версия. Строительный форум основной. Выбор свар.


всё, что вам нужно знать

Время чтения: 6 минут

За последние 100 лет технология сварки претерпела значительные изменения. Классические сварочные аппараты были усовершенствованы, а в продаже появились совершенно новые устройства. Наибольший вклад в развитие домашней и любительской сварки внесло изобретение инверторного сварочного аппарата. Его электронная «начинка» позволяет внедрить функции, которые недоступны классическому трансформатору или выпрямителю.

А если в сварочном аппарате применяется электроника, значит, используются и транзисторы. В этой статье мы подробно расскажем, что такое транзистор, какие транзисторы используются в сварочных инверторах и чем отличаются транзисторы IGBT в сварочном аппарате от транзисторов MOSFET.

Содержание статьи

Общая информация

Транзисторы — что это такое? Наверняка каждый, кто хоть раз сталкивался с ремонтом или банальной разборкой радиоэлектроники, слышал этот термин. Говоря простыми словами, транзистор — это электронная деталь с выводами, изготовленная из полупроводникового материала. Основная функция транзистора — это усиление или генерирование электрических сигналов, поступающих извне. Также с помощью транзисторов выполняется коммутация.

На данный момент транзисторы есть в любом электронном приборе и являются один из важнейших компонентов. В середине прошлого века сразу несколько ученых получили Нобелевскую премию за изобретение транзистора. И с тех пор это небольшое приспособление кардинально изменило мир электроники.

Транзисторы очень маленькие и компактные. Они экономичны, их производство стоит недорого. Несмотря на свой скромный размер, транзистор устойчив к механическому воздействию и долговечен. Также транзисторы способны исправно работать при низком напряжении и при высоких значениях тока. Именно благодаря этим достоинствам к концу 20-го века транзисторы стали неотъемлемой частью каждого электронного прибора. В том числе, у инверторных сварочных аппаратов.

Читайте также: Инструкция по эксплуатации сварочного инвертора для новичков 

С помощью транзисторов удалось собрать компактную схему и внедрить ее в инвертор. Таким образом, существенно снизились размеры и вес сварочного аппарата. На данный момент производители предлагают инверторы весом до 5 кг, которые можно положить в рюкзак и взять с собой на выездные работы. Также такие аппараты незаменимы при сварке на высоте или в труднодоступных местах.

В сравнении с обычным трансформатором, который использовался раньше для сварки, инверторы намного проще в освоении. А наличие дополнительных функций (например, функции горячего старта или антизалипания) помогает новичкам как можно скорее приступить к работе. И все это  заслуга транзисторов.

Транзисторы в инверторах

Транзистор — это один из главных компонентов современного сварочного инвертора. Без него инвертор в принципе не будет так называться. И, поскольку сварочные инверторы уже прочно вошли в нашу жизнь, то нелишним будет узнать немного больше об их электронной «начинке». Эта информация будет полезна не столько мастерам по ремонту сварочных аппаратов, сколько самим сварщикам. Для лучшего понимая сути используемого вами оборудования.

Итак, на данный момент чаще всего в сварочных инверторах применяются транзисторы двух типов: IGBT и MOSFET. Именно благодаря им удается добиться достойного качества работ, внедрения новых функций и уменьшению габаритов аппарата.

Подробнее про IGBT

Мы решили заострить ваше внимание на IGBT транзисторах, поскольку они считаются самыми технологичными. IGBT представляет собой стандартный биполярный транзистор с изолированным затвором. Усиливает и генерирует электрические колебания. Часто применяется в инверторе. От полевого транзистора отличается тем, что генерирует силовой канал, а не управляет им. Представляет собой 2 транзистора на подложке.

Именно благодаря IGBT транзисторам удалось развить производство современных сварочных инверторов. Поскольку именно данный тип транзисторов способен работать при высоком напряжении. Очень скоро производителям стало ясно, что применение IGBT транзисторов способно вывести производство инверторов на новый уровень. Удалось значительно уменьшить размеры аппаратов и увеличить их производительность. Порой стандартный IGBT транзистор способен заменить даже тиристор.

Иногда в IGBT инверторы внедряют специальные микросхемы, которые усиливают управляющий электрический сигнал и ускоряют зарядку затворов. Это необходимо для исправного функционирования мощных переключателей.

IGBT или MOSFET?

Выше мы уже упомянули, что помимо транзисторов типа IGBT существуют еще и транзисторы MOSFET. И многие сварщики любят спорить на форумах, какие транзисторы лучше, а какие хуже. Что мы думаем по этому поводу? Сейчас узнаете.

IGBT — это биполярные транзисторы. А MOSFET — полевые. И отличий у них больше, чем многим кажется на первый взгляд. Основное отличие — максимальная мощность, которую способен выдержать транзистор. У IGBT этот показатель выше, поэтому стоят они дороже, чем MOSFET. А это значит, что управляющая схема тоже стоит дороже.

На практике, сварщик практически не заметит разницы при работе с инверторам на IGBT или MOSFET. В характеристиках разница есть, но на практике она ощущается слабо. К тому же, на IGBt инверторы сложнее найти запчасти и вообще грамотного мастера по ремонту. И расходники стоят дороже.

Если вы используете недорогой инвертор для домашней сварки, то разницу между IGBT и MOSFET вы точно не заметите. Все преимущества IGBT раскрываются только в профессиональном оборудовании, предназначенном для высоковольтного подключения. В таком случае больший диапазон мощностей действительно играет важную роль и стоит предпочесть IGBT инвертор. В остальных же случаях не важно, какие транзисторы установлены. Вы, как любитель, разницу не почувствуете.

Словом, если вы новичок, то приобретайте инвертор на любых транзисторах. Инвертор на MOSFET будет стоить дешевле, вы сможете проще и быстрее его отремонтировать. А если вы выбираете инвертор для профессиональной сварки, то лучше выбрать аппарат на IGBT транзисторах. Они позволят использовать больше мощности. Но и их обслуживание обойдется дороже.

Вместо заключения

Не важно, какие именно силовые транзисторы для сварочных инверторов вы выберите. В любом случае, современный инвертор предоставит вам множество удобных плюсов. Вы сможете брать его с собой, поскольку вес и размеры незначительны. Вы сможете выполнять мелкий ремонт, даже если варите впервые, поскольку дополнительные функции упростят вашу работу. А благодаря технологичным транзисторам электронная схема будет работать еще стабильнее и дольше.

Да, инверторные аппараты куда сложнее по своему строению как раз за счет применения электроники. Вы не сможете починить инвертор «на коленке», как это можно сделать с трансформатором. Но преимуществ слишком много, чтобы отказываться от нововведений. А что вы думаете по этому поводу? Поделитесь своим мнением в комментариях ниже. Желаем удачи в работе!

Драйверы MOSFET-IGBT транзисторов — даташиты

Современные высоковольтные драйверы MOSFET и IGBT транзисторов. Мощные полевые MOSFET-транзисторы и IGBT-транзисторы являются основными элементами современной силовой электроники и используются в качестве элементов коммутации больших токов и напряжений. Однако для согласования низковольтных логических управляющих сигналов с уровнями управления затвора MOSFET и IGBT транзисторов требуются устройства согласования — высоковольтные драйверы.

Главная задача драйвера — преобразование слаботочного сигнала контроллера в мощный сигнал управления для быстрой перезарядки емкостей изолированного затвора. Кроме того драйвер должен осуществлять гальваническую развязку входных импульсов управления и затворных напряжений. Гальваническая развязка необходима в схемах, где мощный силовой каскад питается от сетевого напряжения, а сигналы управления формируются контроллером, связанным с различными периферийными устройствами. При этом изоляция силовой части и схемы управления устраняет коммутационные помехи и позволяет в экстремальных случаях защитить управляющий контроллер и другие логические устройства.

Драйверы выпускают в виде интегральных микросхем, которые, помимо мощных каскадов, содержат вспомогательную логику, узлы преобразования уровня и задержки (для пропуска «мертвого» времени, Dead Time), а также схемы защиты от перегрузки по току, короткого замыкания, снижения напряжения питания и др.

Основная классификация высоковольтных драйверов:
Независимые драйверы верхнего и драйверы нижнего плеча полумоста, интегрированные в одной микросхеме — High and Low Side Driver
Драйверы верхнего и драйверы нижнего плеча, включенные по схеме полумоста — Half-Bridge Driver
Драйверы верхнего плеча — High Side Driver
Драйверы нижнего плеча — Low Side Driver

 

Даташиты на драйверы MOSFET-IGBT транзисторов которые используются для ремонта сварочных инверторов.

 

L6386

 

Если Вы не нашли даташит на нужный компонент на страницах этого сайта попробуйте поискать его на
www.datasheet4u.com

 

Сварочный инвертор mma 220v foxweld master 202 20-160 а

Инверторы для ручной дуговой сварки, построенные на силовых модулях IGBT-типа имеют характерные особенности: максимальная удельная мощность модулей позволяет существенно снизить габариты и вес, по сравнению с обычными аппаратам технологии MOSFET. Поэтому аппарат Мастер 160 по праву может считаться одним из самых легких среди аппаратов профессионального применения – всего 4,8 килограмма. При этом он может свободно резать и сваривать электродом 3ммм без каких-либо ограничений, и сваривать эл-дом 4мм в режиме наплавки.
Управляющая электроника аппарата имеет встроенные функции стабилизации сварочного процесса — облегчения поджига дуги (Hot-start), функцию стабилизации и препятствию залипанию в процессе сварки (Arc-Force) и функцию снижения сварочного тока в случае замыкания электрода или электрододержателя (Anti-Sticking)
Также, при разработке данного аппарата специально для нашего рынка был усилен блок питания, чтобы выдерживать широкий диапазон напряжений: аппарат выдерживает как падение сетевого напряжения до 140В, так и скачки напряжения – например аппарат имеет защиту от кратковременного ошибочного включения в сеть 380В.
Но не стоит забывать и о недостатках IGBT технологии – из-за гораздо более высокой частоты, любой MOSFET инвертор имеет лучшие динамические качества, в частности разбрызгивание и стабильность горения дуги на малых токах. Поэтому для людей, кому в первую очередь нужен аппарат с наилучшими динамическими характеристиками, мы рекомендуем аппарат Мастер 162.
Особенности сварочного аппарата:

Сварочный инвертор с IGBT схемой
Небольшой, компактный, питание от обычной сети 220В с пониженным электропотреблением
Уверенно выдерживает пониженное и повышенное напряжение, работает при падении напряжения до 140В, имеет защиту от случайного включения в 380В!
Плавная регулировка сварочного тока
Имеет встроенные функции облегчения поджига дуги (Hot-start), функцию стабилизации и препятствию залипанию в процессе сварки (Arc-Force) и функцию снижения сварочного тока в случае замыкания электрода или электрододержателя (Anti-Sticking)
Полный комплект для начала работ
Область применения сварочного инвертора

Универсальный сварочный аппарат на все случаи жизни
Сварка любыми электродами, любых материалов
 Сварка на строительных площадках, сварка легких металлоконструкций.
Сварочный аппарат для гаража, мастерской, домашнего мастера
Ремонтно-монтажные работы, в том числе высотные, ремонт и монтаж канализационных систем, коммунальные работы
Ремесленные и кузнечные работы, индивидуальное хозяйство
Стандартная комплектация:

Источник с сетевым кабелем
Обратный кабель с зажимом
Электрододержатель для ручной дуговой сварки (ММА)

*Производитель оставляет за собой право менять комплектацию аппарата

Силовые MOSFET и AGBT транзисторы в сварочных инверторах, Краснодар, Белецкий А. И.

Первая часть статьи. Лабиринты цепей сварочных инверторов.

Прибор для проверки и подбора полевых с N каналом и IGBT транзисторов.

С самого начала этой темы скажу, что без визуального представления работы транзисторов, никакие книги не дадут понимания. Нужно своими глазами, по измерительному прибору, увидеть работу и поведение разных типов транзисторов. Только тогда можно правильно сориентироваться в этой массе полупроводниковых приборов, имеющихся на рынке. После этого вы будете смотреть на мир другими глазами. Прибор лучше стрелочный. Он более наглядно дает представление о различии транзисторов, по углу отклонения стрелки, особенно разных типов. Схема одного из таких приборов для проверки и подбора силовых MOSFET и AGBT транзисторов приведена по ссылке в верху.

А теперь о самих транзисторах. Начну с шока для могих. Транзисторы MOSFET можно заменять на AGBT и на оборот. Имеется в виду все, на все. В некоторых случаях даже с явным улучшением параметров. При замене надо подкорректировать снабберные цепочки.

В схему смело можно ставить любые силовые транзисторы, расчитанные для применения в сварочных инверторах, часто с коррекцией снабберных цепей.

Чтобы видеть, как корректировать снабберные элементы, необходим предложенный прибор. По шкале прибора смотрим разность угла отклонения стрелки, в процентном соотношении, и на столько корректируем снабберы. Например. В AGBT транзисторах FGH60N60, стрелка, при измерении емкости транзистора, отклонилась на 60 делений, а в AGBT транзисторах FGh50N60 на 40 делений. Значит, при установке последних, нужно уменьшить конденсаторы на 30%. А при максимальном рбочем токе 20-30 А., если транзисторы стоят парами, ток что 80А, что 120А на результат не повлияет. Зато FGh50N60 гораздо быстрее, у них заметно меньшие потери на коммутационные процессы. Здесь главное теплоотвод. Вместо термо резины лучше поставить тонкие слюдяные прокладки на термопасту с обеих сторон. Часто бывают плохие резьбы в прижимных болтах. Обязательно, при обкручивании болта, засверлить и перерезать резьбу большего диаметра и хорошо прижать транзисторы к радиатору. Выдуть всю пыль и очистить радиаторы и вентилятор до блеска.

Отдельным параграфом нужно выделить подбор идентичных транзисторов по параметрам. Пять минут непосильного труда, добавляет не меньше 20% мощности инвертора. А с таким качеством транзисторов как в Харьковском Космодроме, то и все 40%. Часто бывает, что из 10 транзисторов можно подобрать только пару, а нужно минимум четыре. Сильно плавают емкости и напряжения открытия. Как раз самые важные параметры.

Теперь о целесообразности замены MOSFET транзисторов на AGBT и на оборот.

AGBT транзисторы более высоковольтные, при напряжении насыщения около 2 Вольт. Это единственное их преимущество перед полевыми.

Недостатки.

AGBT транзисторы имеют напряжение насыщения эмиттер — коллекторного перехода, минимум 2 Вольта. Это значит.

    1. Они не могут коммутировать напряжения меньше 2 Вольт.

2. Очень не эффективны при коммутации малых напряжений. Например, при коммутации напряжения уровнем 4 Вольта, КПД = 50%

3. При параллельном соединении, потери увеличиваются в два раза. Например. При коммутационном токе 40А рассеиваемая мощность от паразитного напряжения насыщения будет = 80Ватт на каждый транзистор. Поэтому, IGBT транзисторы логино применять при больших токах. Чем больше коммутирующий ток, тем выгоднее эти транзисторы.

При коммутационном токе 20А рассеиваемая мощность от паразитного напряжения насыщения, будет = 40Ватт на каждый транзистор.

MOSFET транзисторы. Это полевые транзисторы с изолированным затвором. Чем они выделяются.

1. Приемлемо малым сопротивлением открытого перехода (около 0,2 Ом), правда, это при допустимых напряжениях СИ до 500В. Свыше 500В параметры стремительно ухудшаются. Этот участок напряжений для AGBT приборов.

2. Могут коммутировать очень малые напряжения. Чем меньше напряжение коммутации, тем меньше потери транзистора.

3. У большинства полевиков заметно лучше скоростные характеристики и меньшие коммутационные потери.

4. При параллельном соединении общее сопротивление открытого перехода уменьшается в два раза. Как и при параллельном соединении резисторов. Например. При коммутационном токе 40А падение напряжения на сопротивлении 0,2 Ом, будет равно 8В. 8В*40=320Ватт. Но, при параллельном соединении двух транзисторов, на них будет выделяться уже только 160Ватт.

При коммутационном токе 20А падение напряжения на сопротивлении 0,2 Ом, будет равно 4В. 4В*20=80Ватт. Но, при параллельном соединении двух транзисторов, на них будет выделяться уже только 40Ватт. А при AGBT варианте, при параллельном их соединении, будет 80Ватт.

Вот так, при достаточно серьезных рабочих токах (это, при напряжении 150В и токе 20А, мощность будет 3КВт) на ровном месте, MOSFET транзисторы в разы опережают AGBT.

Вывод. В случаях, когда инверторные сварки не используются для резки металла, особенно для электродов диаметром 3мм, AGBT транзисторы можно менять на MOSFETы. Также, такую замену, можно делать, если параллельно соединены три и более транзистора. И на оборот. Если большие токи и тяжелые сварочные режимы, напряженние питания скачет выше 220В, ставим IGBT.

Ну и последний нюанс. После таких замен и коррекций соответствующих цепей, при первом запуске, нужно подавать питающее напряжение с нуля. Плавно, с медленным нарастанием и постоянным контролем осциллографом амплитуды и формы напряжений на затворах и коллекторах (стоках).

При появлении малейших искажений сигнала, нужно все выключать проверять и пересчитывать, иначе будет бах. Часто бывает, что кроме силовых элементов вылетают и задающие. При этом, стают не понятны причины искажений формы сигналов, что влечет эти изменения — замена силовых транзисторов, или выход из строя задающих элементов.

Удачи в ремонте.

С ув. Белецкий А. И.       06.01.2014г.     Кубань Краснодар.

Сварочный инвертор с дисплеем, ММА

Артикул
Типин­вер­тор
Тип сваркиММА
Тип транзистораIGBT
Мощность, кВА10
Макс. потребляемый ток, А45
Род сварочного токапо­сто­ян­ный
Сварочный ток, А10-250
Диаметр электродов, мм1.6-5,0
Напряжение холостого хода, В60
Рабочее напряжение, В29.2
Диапазон напряжений сети, В160-230
Пв, %60
Кпд, %85
Форсаж дугиесть
Горячий стартесть
Защита от прилипания электродаесть
Защита от перегрева и перегрузкиесть
Встроенный автоматический выключательесть
Дисплейесть
Класс электробезопасностиI
Степень защитыIP21
Номинальное напряжение, В/Гц230 /50
Габариты, см52х28х38
Масса изделия, кг9.5
Масса в упаковке, кг10.7
Комплектация
Аппарат сварочный1
Кабель с электрододержателем1
Кабель с зажимом массы1
Руководство по эксплуатации1

В чем разница между MOSFET и IGBT

Резюме

Эта статья в основном посвящена различиям между MOSFET и IGBT, включая их соответствующие преимущества и недостатки, а также различия в структуре, выбор MOSFET или IGBT и т. д. Кроме того, эффективность восстановления диода является основным фактором, определяющим MOSFET. или потерь при переключении IGBT в открытом состоянии, поэтому мы также обсудим влияние восстановления диода на топологию с жестким переключением.

Каталог

I Разница в структуре между MOSFET и IGBT

Из-за структуры MOSFET обычно может достигать большого тока и может достигать KA, но предварительным условием является то, что способность к напряжению невелика . Давайте сначала посмотрим видео о том, в чем разница между MOSFET и IGBT.

Это видео представляет собой простое описание разницы между IGBT, MOSFET, BJT

II Разница в мощности между MOSFET и IGBT 

IGBT может обеспечить большую мощность, ток и напряжение, однако частота не слишком высоко.Текущая скорость жесткого переключения IGBT может достигать 100 кГц, это уже хорошо. Тем не менее, по отношению к рабочей частоте МОП-транзистора все еще капля в море, МОП-транзистор может работать до сотен кГц, МГц и даже десятков МГц, радиочастотных продуктов.

MOSFET VS IGBT 

III Преимущества и недостатки MOSFET и IGBT

3.1 MOSFET

MOSFET представляет собой полностью управляемый переключатель с тремя выводами (затвор, сток и исток). Сигнал затвора/управления возникает между затвором и истоком, а его клеммы переключения являются стоком и истоком.Сам затвор выполнен из металла, отделен от истока и стока с помощью оксида металла. Это позволяет снизить энергопотребление и делает транзистор отличным выбором для использования в качестве электронного переключателя или усилителя с общим истоком.

 

Для правильной работы МОП-транзисторы должны поддерживать положительный температурный коэффициент. Это означает, что вероятность теплового разгона практически отсутствует. Потери в открытом состоянии меньше, потому что сопротивление транзистора в открытом состоянии теоретически не имеет предела.Кроме того, поскольку полевые МОП-транзисторы могут работать на высоких частотах, они могут выполнять быстрое переключение с небольшими потерями при выключении.

 

Существует множество различных типов МОП-транзисторов, но наиболее сопоставимым с IGBT является силовой МОП-транзистор. Он специально разработан для работы со значительными уровнями мощности. Они используются только в состояниях «включено» или «выключено», в результате чего они стали наиболее широко используемыми низковольтными переключателями. По сравнению с IGBT силовой МОП-транзистор имеет преимущества более высокой скорости коммутации и большей эффективности при работе при низких напряжениях.

 

Более того, он может выдерживать высокое напряжение блокировки и поддерживать высокий ток. Это связано с тем, что большинство силовых МОП-транзисторов имеют вертикальную (а не плоскую) структуру. Его номинальное напряжение находится в прямой зависимости от легирования и толщины N-эпитаксиального слоя, а его номинальное значение тока связано с шириной канала (чем шире канал, тем выше ток). Благодаря своей эффективности силовые МОП-транзисторы используются в источниках питания, преобразователях постоянного тока и низковольтных контроллерах двигателей.

3.2 IGBT

IGBT также представляет собой полностью управляемый переключатель с тремя выводами (затвор, коллектор и эмиттер). Его сигнал затвора/управления проходит между затвором и эмиттером, а клеммы переключателя — это сток и эмиттер. Он сочетает в себе простые характеристики управления затвором, характерные для MOSFET, с большими токами и низким напряжением насыщения биполярного транзистора. Это достигается за счет использования полевого транзистора с изолированным затвором в качестве управляющего входа и биполярного силового транзистора в качестве переключателя.

 

Более того, IGBT специально разработан для быстрого включения и выключения. На самом деле частота повторения его импульсов фактически попадает в ультразвуковой диапазон. Благодаря этой уникальной возможности IGBT часто используются с усилителями для синтеза сигналов сложной формы с широтно-импульсной модуляцией и фильтрами нижних частот. Они также используются для генерации импульсов большой мощности в таких областях, как физика элементарных частиц и плазмы, и зарекомендовали себя в современных устройствах, таких как электромобили, поезда, холодильники с регулируемой скоростью, кондиционеры и многое другое.Более подробно вы можете увидеть в этой статье «MOSFET vs. IGBT».

IV Характеристики применения MOSFET и IGBT

Что касается его применения, в соответствии с его характеристиками: MOSFET используется в импульсных источниках питания (см. этот документ «Принцип работы высокой мощности с регулируемой мощностью переключения Поставка «, балласт, высокочастотный индукционный нагрев, высокочастотный инверторный сварочный аппарат, источник питания связи и т. Д. Высокочастотный источник питания.IGBT фокусируется на сварке, инверторах, инверторах, источниках питания с гальваническим покрытием, супераудиоиндукционном нагреве и других областях.

Производительность импульсного источника питания (SMPS) в значительной степени зависит от выбора силовых полупроводниковых устройств, а именно переключателя и выпрямителя.

Импульсный источник питания MOSFET

Несмотря на то, что комплексного решения проблемы выбора IGBT или MOSFET не существует, сравнение производительности IGBT и MOSFET в конкретных приложениях SMPS все же возможно определить диапазон ключевых параметров.

В Потери проводимости в MOSFET и IGBT

В дополнение к более длительному падению напряжения IGBT, характеристики проводимости IGBT и мощного MOSFET очень похожи. Из базовой эквивалентной схемы IGBT (см. рис. 1) видно, что время, необходимое для полной настройки неосновных носителей в области базы коллектора PNP BJT, приводит к возникновению хвостового напряжения.

Рисунок 1: Эквивалентная схема IGBT

Эта задержка вызывает эффект квази-насыщения, так что напряжение коллектора/эмиттера не сразу падает до своего значения VCE (sat).Этот эффект также вызывает рост напряжения VCE в корпусе ZVS в момент переключения тока нагрузки с шунтирующего встречно-параллельного диода корпуса на коллектор IGBT.

 

Энергопотребление Eon, указанное в техническом описании IGBT, представляет собой временной интеграл произведения Icollector и VCE для каждого цикла преобразования в джоулях и содержит дополнительные потери, связанные с насыщением класса. Далее он делится на два параметра энергии Eon, Eon1 и Eon2.Eon1 не включает потери мощности, связанные с потерями в диоде при жестком переключении, а Eon2 включает энергию включения при жестком переключении, связанную с восстановлением диода, которую можно измерить, восстановив тот же диод, что и диод в корпусе с диодом.

 

Типичная тестовая схема Eon2 показана на рис. 2. IGBT измеряет Eon путем включения и выключения двумя импульсами. Первый импульс увеличивает ток дросселя для достижения желаемого испытательного тока, а затем второй импульс измеряет потери Eon, при которых испытательный ток восстанавливается на диоде.

Рис. 2: Типовая тестовая схема Eon при включении и Eoff при выключенном питании

Потери при переключении Eon определяются напряжением и сопротивлением затвора, а также характеристиками восстановления диода выпрямителя при включенном аппаратном ключе. Для традиционных цепей CCM boost PFC функция восстановления повышающего диода чрезвычайно важна для контроля энергопотребления Eon (on). В дополнение к выбору повышающего диода с минимальными Trr и QRR также важно убедиться, что диод имеет характеристики мягкого восстановления.Мягкость, отношение tb/ta, оказывает значительное влияние на электрические шумы и всплески напряжения, создаваемые коммутационными устройствами.

 

Некоторые быстродействующие диоды имеют высокую скорость падения тока (di / dt) от IRM (REC) в течение времени tb, что вызывает выбросы высокого напряжения в паразитной индуктивности цепи. Эти скачки напряжения могут вызвать электромагнитные помехи (EMI) и привести к чрезмерному обратному напряжению на диоде.

 

В схемах с жесткой коммутацией, таких как топологии полного моста и полумоста, пакеты, упакованные с IGBT, представляют собой транзисторы с быстрым восстановлением или диоды в корпусе MOSFET.Когда соответствующий переключатель находится в открытом состоянии, через диод протекает ток, а характеристики восстановления диода определяют потери Eon. Таким образом, очень важно выбрать полевой МОП-транзистор с быстрой характеристикой восстановления внутреннего диода. К сожалению, характеристики восстановления паразитного диода или внутреннего диода MOSFET медленнее, чем у дискретных диодов, используемых в настоящее время в промышленности. Следовательно, для приложений с жесткой коммутацией MOSFET внутренний диод часто является ограничивающим фактором, определяющим рабочую частоту SMPS.

 

В целом, диоды в корпусе IGBT выбираются в соответствии с их применением, с более медленными сверхбыстрыми диодами с более низкими потерями прямой проводимости и более медленными корпусами IGBT с низким VCE (sat) с приводом от двигателя. Напротив, сверхбыстрый диод с мягким восстановлением может быть упакован с комбинацией высокочастотных импульсных IGBT SMPS2. В дополнение к выбору правильного диода разработчики также могут контролировать потери Eon, регулируя импеданс источника включения затвора. Уменьшение импеданса источника возбуждения увеличит время включения/выключения IGBT или MOSFET и уменьшит потери Eon.Потери Eon и электромагнитные помехи должны быть скомпрометированы, так как более высокие значения di/dt приводят к скачкам напряжения, повышенным излучаемым и кондуктивным электромагнитным помехам. Для выбора правильного импеданса привода затвора, соответствующего требованиям di/dt при включении, может потребоваться внутреннее тестирование и проверка схемы. Затем можно определить приблизительное значение кривой перехода MOSFET (см. рис. 3).

Рис. 3: Передаточные характеристики МОП-транзистора

 

Если предположить, что ток полевого транзистора возрастает до 10 А при включении, напряжение на затворе должно измениться с 5.2 В до 6,7 В для достижения значения 10 А в соответствии с кривой при 25°С на Рисунке 3 со средней GFS 10 А/(6,7 В-5,2 В) = 6,7 мОм.

Уравнение 1 дает импеданс привода затвора для требуемого значения on di/dt

 

Применение среднего значения GFS к уравнению 1 приводит к напряжению привода затвора Vdrive = 10 В, требуемому di / dt = 600 A / мкс, типичным значениям FCP11N60 VGS (avg) = 6 В и Ciss = 1200 пФ; Импеданс привода затвора составляет 37 Ом. Поскольку переходное значение GFS представляет собой диагональную линию на графике на рис. 3, изменение происходит в течение Eon, а это означает, что di / dt также изменяется.Экспоненциально затухающий ток управления затвором Vdrive и падение Ciss также входят в формулу как функция VGS, демонстрируя общий эффект с неожиданным линейным ростом тока.

 

Подобным образом аналогичные расчеты сопротивления затвора во включенном состоянии могут быть выполнены для IGBT. VGE (avg) и GFS можно определить по характеристикам переключения IGBT, а значения CIES при VGE (avg) используются вместо Ciss. Расчетное полное сопротивление привода затвора IGBT 100 Ом выше, чем предыдущие 37 Ом, что указывает на то, что IGBT GFS выше CIES ниже.Ключевым моментом здесь является то, что для переключения с MOSFET на IGBT необходимо настроить схему управления затвором.

VI Подробное описание потерь проводимости

IGBT обычно имеют меньшие потери проводимости, чем 600-вольтовые полевые МОП-транзисторы того же размера по сравнению с устройствами, рассчитанными на 600 В. Такие сравнения следует проводить, когда плотность тока коллектора и стока четко определяется, а также при рабочей температуре перехода в наихудшем случае. Например, FGP20N6S2 SMPS2 IGBT и FCP11N60 SuperFET имеют значение RθJC, равное 1 °C/Вт.На рис. 4 показаны потери проводимости в зависимости от постоянного тока при температуре перехода 125 °C. График показывает, что потери проводимости MOSFET больше при постоянном токе более 2,92 А.

Рисунок 4: Потери проводимости при работе по постоянному току и Рисунок 5: Потери проводимости в повышающей цепи ККМ CCM

Однако потери проводимости по постоянному току на рис. 4 менее подходят для большинства приложений. Между тем, на рисунке 5 показано сравнение потерь проводимости в CCM (режим постоянного тока), повышающей схеме ККМ, температуре перехода 125 ° C и режимах работы с входным напряжением переменного тока 85 В переменного тока и выходным напряжением постоянного тока 400 В постоянного тока.На рисунке точка пересечения кривой MOSFET-IGBT составляет 2,65 А RMS. Что касается схем PFC, полевые МОП-транзисторы имеют большие потери проводимости, когда входной переменный ток превышает 2,65 А (среднеквадратичное значение). Входной переменный ток PFC 2,65 А равен среднеквадратичному значению 2,29 А, рассчитанному по уравнению 2 в МОП-транзисторе. Рассчитываются потери проводимости MOSFET, I2R, ток, определяемый уравнением 2, и RDS (on) MOSFET при 125 °C. Принимая во внимание RDS (on) для изменения тока стока, потери проводимости можно уточнить, как показано на рисунке 6.

Рис. 6: FCP11N60 (MOSFET): RDS (вкл.) с изменениями IDRAIN и VGE

В статье IEEE, озаглавленной «Как учитывать зависимость переходных значений тока стока мощного полевого МОП-транзистора RDS (on) от потерь проводимости в высокочастотных трехфазных инверторах ШИМ», описывается, как определить влияние тока стока на потери проводимости. В качестве идентификатора функции изменения в RDS (включено) мало влияют на большинство топологий SMPS. Например, в схеме PFC, когда ID пикового тока полевого МОП-транзистора FCP11N60 составляет 11 А — вдвое больше 5.5 A (спецификация RDS (on)), действующее значение RDS (on) и потери проводимости увеличиваются на 5 %.

 

В топологии с высоким пульсирующим током, где полевые МОП-транзисторы имеют очень малый рабочий цикл, следует учитывать характеристики, показанные на рис. 6. Если полевой МОП-транзистор FCP11N60 работает в цепи с импульсным током стока 20 А (т. е. среднеквадратичное значение 5,5 А) с рабочим циклом 7,5 %, эффективное значение RDS (включено) будет меньше 5,5 А (испытательный ток в техническом описании). 0,32 Ом большой 25%.

Уравнение 2 Среднеквадратичное значение тока в цепи CCM PFC

В уравнении 2 Iacrms представляет собой среднеквадратичное значение входного тока схемы ККМ; Vac – среднеквадратичное значение входного напряжения схемы ККМ; Vвых — выходное напряжение постоянного тока.

 

В практических приложениях расчет потерь проводимости БТИЗ в аналогичных схемах ККМ будет более сложным, поскольку каждый цикл переключения выполняется на разных ИС. VCE (sat) IGBT не может быть представлен одним импедансом. Более простой и прямой метод состоит в том, чтобы представить его в виде резистора RFCE, включенного последовательно с фиксированным напряжением VFCE, VCE (ICE) = ICE × RFCE + VFCE. Затем потери проводимости можно рассчитать как произведение среднего тока коллектора и VFCE плюс квадрат среднеквадратичного значения тока коллектора, умноженный на импеданс RFCE.

 

В примере на рис. 5 учитываются только потери проводимости схемы CCM PFC, которые предполагаются менее 15 Вт для целевого проекта с наихудшим случаем проводимости. Взяв в качестве примера полевой МОП-транзистор FCP11N60, эта схема ограничена 5,8 А, а IGBT FGP20N6S2 может работать при входном токе переменного тока 9,8 А. Он проводит более 70% мощности MOSFET.

 

Хотя IGBT имеют низкие потери проводимости, большинство 600V IGBT являются устройствами PT (Punch Through).Устройства PT имеют характеристики NTC (отрицательный температурный коэффициент) и не могут шунтировать параллельно. Возможно, эти устройства могут быть с ограниченным успехом параллельны с помощью согласующих устройств VCE (sat), VGE (TH) (пороговое напряжение срабатывания затвора) и механических блоков, чтобы можно было постоянно поддерживать температуру кристаллов IGBT. Напротив, MOSFET имеет PTC (положительный температурный коэффициент), который обеспечивает хорошее шунтирование тока.

VII Потери при выключении 

В схемах с жесткой коммутацией и фиксированной индуктивностью полевые МОП-транзисторы имеют гораздо меньшие потери при выключении, чем IGBT, из-за хвостового тока IGBT, что связано с удалением неосновных носителей PNP BJT на рисунке 1.На рис. 7 показана функция Eoff коллекторного тока ICE и температуры перехода Tj, кривые которой приведены в большинстве спецификаций IGBT. Эти кривые основаны на замкнутых индуктивных цепях, имеют такое же испытательное напряжение и содержат потери энергии в остаточном токе.

Рис. 7: IGBT Eoff с ICE и изменением Tj

На рис. 2 показана типичная тестовая схема для измерения Eoff IGBT. Его испытательное напряжение, VDD на рисунке 2, зависит от BVCES для разных производителей и отдельных устройств.VDD в этом тестовом режиме следует учитывать при сравнении устройств, потому что тестирование и работа при более низком напряжении фиксации VDD приведет к более низкому энергопотреблению Eoff.

 

Уменьшение сопротивления открытия затвора мало влияет на уменьшение потерь Eoff IGBT. Как показано на рис. 1, в IGBT с неосновными несущими BJT по-прежнему существует задержка времени хранения td (off) I, когда эквивалентный MOSFET с несколькими несущими выключен. Однако уменьшение импеданса привода Eoff снизит риск инжекции тока в контур привода затвора из-за емкостей Миллера CRES и dv/dt при выключенном VCE, предотвращая смещение устройства в проводящее состояние, что приводит к множественным Eoff- генерация коммутационных действий.

 

Топологии

ZVS и ZCS снижают потери при выключении MOSFET и IGBT. Однако преимущества ZVS не так велики в IGBT. Поскольку хвостовой пусковой ток Eoff индуцируется, когда напряжение коллектора возрастает до потенциала, который позволяет рассеять избыточный накопленный заряд. Топология ZCS может повысить максимальную производительность IGBT Eoff. Правильная последовательность управления затвором позволяет не сбрасывать сигнал затвора IGBT до того, как ток второго коллектора пересечет ноль, что значительно снижает Eoff ZCS IGBT.

 

Энергопотребление полевого МОП-транзистора Eoff зависит от его емкости Миллера Crss, скорости привода затвора, импеданса привода затвора при выключенном истоке и паразитной индуктивности в цепи питания истока. Паразитная индуктивность цепи Lx (рис. 8) создает потенциал, который увеличивает потери при выключении за счет ограничения падения скорости тока. При отключении скорость падения тока di/dt, определяется Lx и VGS(th). Если Lx=5нГн, VGS(th)=4В, максимальная скорость падения тока VGS(th)/Lx=800А/мкс.

Рис. 8: Схема управления затвором в типичных приложениях с жесткой коммутацией

VIII Как выбрать MOSFET и IGBT

MOSFET и IGBT быстро заменяют подавляющее большинство старых полупроводниковых и механических устройств. Это движение не похоже, что в ближайшее время оно замедлится, особенно с развитием качества материала из карбида кремния (SiC). Устройства питания SiC демонстрируют преимущества разработчиков, такие как меньшие потери, меньший размер и повышенная эффективность.Подобные инновации будут продолжать расширять возможности MOSFET и IGBT в приложениях с более высоким напряжением и большей мощностью. В результате компромиссы и дублирование, вероятно, сохранятся во многих приложениях. В этом случае тщательный анализ самого устройства, возможно, является наиболее логичным решением, когда вы сталкиваетесь с задачей выбора транзистора для вашего приложения SMPS.

 

Комплексных решений при выборе силовых коммутационных аппаратов не существует. Топология схемы, рабочие частоты, температура окружающей среды и физические размеры — все это играет важную роль в выборе наилучшего решения.В приложениях ZVS и ZCS с минимальными потерями Eon полевые МОП-транзисторы могут работать на более высоких частотах благодаря более высокой скорости переключения и меньшим потерям при переключении. Характер восстановления паразитных MOSFET-диодов может быть недостатком для приложений с жестким переключением. Напротив, превосходные диоды с мягким восстановлением совместимы с высокоскоростными импульсными источниками питания, поскольку диоды в корпусе IGBT адаптированы для конкретных приложений.

 

Закрытие : Между MOSFE и IGBT нет существенной разницы.Люди часто задают вопрос «хороший ли MOSFET или IGBT» сам по себе является ошибкой. Почему мы иногда используем MOSFET, иногда используем IGBT вместо MOSFET? Нельзя просто описать хорошую и плохую сторону, чтобы различить и определить Для рассмотрения этого вопроса необходимо использовать диалектические методы.

 

Ⅸ Часто задаваемые вопросы

1. Что лучше MOSFET или IGBT?

По сравнению с IGBT силовой МОП-транзистор имеет преимущества более высокой скорости коммутации и большей эффективности при работе при низких напряжениях.Более того, он может выдерживать высокое напряжение блокировки и поддерживать высокий ток. … IGBT также является полностью управляемым переключателем с тремя выводами (затвор, коллектор и эмиттер).

 

2. Можем ли мы использовать IGBT вместо Mosfet?

Из-за более высокой полезной плотности тока IGBT, он обычно может выдерживать в два-три раза больший ток, чем типичный MOSFET, который он заменяет. Это означает, что один IGBT-транзистор может заменить несколько МОП-транзисторов при параллельной работе или любой из сверхбольших одномощных МОП-транзисторов, доступных сегодня.

 

3. В чем разница между транзисторами и IGBT?

IGBT обозначает биполярный транзистор с изолированным затвором, BJT обозначает биполярный переходной транзистор. У обоих есть биполярные устройства. IGBT управляется напряжением затвора, тогда как BJT является устройством, управляемым током. BJT состоит из эмиттера, базы и коллектора с тремя клеммами, тогда как IGBT известны как эмиттер, коллектор и база.

 

4. Каковы преимущества использования IGBT по сравнению с Mosfet?

Основные преимущества IGBT по сравнению с мощными MOSFET и BJT: 1.Он имеет очень низкое падение напряжения во включенном состоянии из-за модуляции проводимости и превосходную плотность тока во включенном состоянии. Таким образом, возможен меньший размер чипа и стоимость может быть снижена.

 

5. Какое устройство имеет меньшие потери переключения Mosfet или IGBT?

MOSFET рассчитан на напряжение около 600 вольт, тогда как IGBT рассчитан на напряжение около 1400 В. Следовательно, при высоких напряжениях ток становится низким, что в конечном итоге приводит к низким потерям при переключении.

 

6.Может ли IGBT преобразовывать переменный ток в постоянный?

Преобразователь переменного тока в постоянный, обеспечивающий регулируемое выходное напряжение постоянного тока из входного переменного напряжения питания, которое преобразуется с помощью выпрямителя, по крайней мере в двух ветвях которого используются устройства IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором), предпочтительно те, у которых нет внутренних диодов.

 

7. Какой сварочный аппарат лучше IGBT или Mosfet?

IGBT и MOSFET очень похожи и работают (на первый взгляд) практически одинаково.МОП-транзисторы лучше работают на более высокой частоте, но, поскольку они не так хороши при больших токах, вам обычно требуется больше, чтобы соответствовать IGBT, поэтому их реализация может быть дороже.

 

8. Является ли IGBT выпрямителем?

IGBT имеют довольно хорошую пропускную способность по току по сравнению со стандартными BJT (транзисторами с биполярным переходом) и MOSFET (транзисторами металл-оксид-кремний). IGBT — это устройства, коммутация которых полностью контролируется электронным способом. Большинство стандартных выпрямителей на рынке обычно являются 6-пульсными выпрямителями.

 

9. Каков принцип работы IGBT?

IGBT требует лишь небольшого напряжения для поддержания проводимости в устройстве, в отличие от BJT. БТИЗ является однонаправленным устройством, то есть он может включаться только в прямом направлении. Это означает, что ток течет от коллектора к эмиттеру, в отличие от полевых МОП-транзисторов, которые являются двунаправленными.

 

10. Что такое плазменный резак IGBT?

Плазменная резка — это процесс резки стали и металла различных размеров и толщины с помощью плазменной горелки…. В плазменных резаках IGBT используется другой метод запуска вспомогательной дуги, и они лучше подходят для профессиональных условий.

 

 


Книга рекомендаций

В этой книге в основном рассказывается о полевых МОП-транзисторах. ИС драйвера IGBT и приложение.

—БЕН ШЕ.И МИН (Автор)

Курс «Теория и проектирование полевых МОП-транзисторов», разработанный для курса продолжительностью один семестр для младших, старших и высших учебных заведений, представляет собой четкое и подробное рассмотрение физического анализа и принципов проектирования полевых МОП-транзисторов.Сосредоточив внимание исключительно на полевых МОП-транзисторах, этот тонкий том признает доминирование этого устройства в современной технологии микроэлектроники, а также предоставляет учащимся эффективный текст без дополнительной темы. MOSFET Theory and Design предлагает практический подход к обучению, используя аналитические, компьютерные и проектные задачи. Он включает в себя дополнительные педагогические средства, такие как краткое изложение книги, контрольные вопросы, подчеркивающие основные моменты, текстовые упражнения с сопутствующими решениями и обширную библиографию.

— Теория и конструкция MOSFET

Устройство IGBT оказалось очень важным силовым полупроводником, обеспечивающим основу для приводов двигателей с регулируемой скоростью (используемых в кондиционерах и холодильных установках и железнодорожных локомотивах), электронных систем зажигания для автомобилей с бензиновым двигателем и энергосберегающих компактных люминесцентных ламп. Недавние области применения включают плазменные дисплеи (телевизоры с плоским экраном) и системы передачи электроэнергии, альтернативные энергетические системы и накопители энергии.Эта книга является первой доступной книгой, посвященной применению IGBT и предоставляющей важную информацию, необходимую инженерам-прикладникам для разработки новых продуктов с использованием этого устройства в таких секторах, как потребительский, промышленный, осветительный, транспортный, медицинский и возобновляемый.

—Б. Джаянт Балига (Автор)

 


Соответствующая информация о «Анализ различий между MOSFET и IGBT»

О статье «Анализ различий между MOSFET и IGBT». Если у вас есть лучшие идеи, не стесняйтесь писать свои мысли в следующей области комментариев.Вы также можете найти дополнительные статьи об электронных полупроводниках через поисковую систему Google или обратиться к следующим связанным статьям.

 

Альтернативные модели

Часть Сравнить Производители Категория Описание
ПроизводительНомер детали: 2N3700 Сравните: Текущая часть Производители:ST Microelectronics Категория: BJT Описание: Trans GP BJT NPN 80V 1A 0.5W(1/2W) 3Pin TO-18 Bag
№ производителя: JANTX2N3700 Сравните: 2N3700 VS JANTX2N3700 Производители:Microsemi Категория: BJT Описание: Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-18
ПроизводительНомер детали: JANTXV2N3700 Сравните: 2N3700 VS JANTXV2N3700 Производители:Microsemi Категория: BJT Описание: Маломощный кремниевый транзистор JANTXV серии 80V 1A сквозного отверстия NPN — TO-18
ПроизводительНомер детали: 2N3700 Сравните: 2N3700 VS 2N3700 Производители: Мультикомп Категория: BJT Описание: MULTICOMP 2N3700 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80V, 400MHz, 0.5 Вт (1/2 Вт), 1 А, 300 чFE

MOSFET & IGBT Интегрированный аппарат для высокочастотной сварки

MOSFET & IGBT Интегрированный аппарат для высокочастотной сварки — это самый передовой индукционный сварочный аппарат нового поколения для труб из мягкой стали и оцинкованных труб.

Внедрение технологии импульсно-импульсной модуляции ШИМ и IGBT марки Infineon, которые обеспечивают быстрое, стабильное и регулируемое напряжение и ток постоянного тока для нагрузки. Это также значительно улучшает коэффициент мощности твердотельного высокочастотного сварочного аппарата.

Благодаря цифровой технологии управления инвертором с фазовой автоподстройкой частоты и высокоскоростному цифровому сигнальному процессору реализовано управление фиксированным углом, а частота нагрузки может отслеживаться автоматически. Он может обеспечить надежный управляющий импульс для инвертора, чтобы обеспечить стабильную и эффективную работу индукционного сварочного аппарата.

Внедрение технологии PWM Chop-Wave:

Прерыватель постоянного тока используется для надлежащего отключения напряжения источника питания для достижения изменения напряжения конечной нагрузки.

Особенности технологии управления ШИМ:

1. Есть два варианта установки мощности машины, один — постоянный ток, другой — режим работы с постоянной мощностью. Клиент может выбрать различные способы в зависимости от нагрузки. По сравнению с традиционным пропорциональным интегральным методом управления, применение цифрового контура управления, состоящего из микропроцессора, быстрого отклика, небольшого перерегулирования, выходная мощность не зависит от колебаний напряжения в электросети и изменений нагрузки, обеспечивает постоянную выходную мощность.Очень важно улучшить эффект нагрева и когерентность нагрева. Традиционный аналоговый регулятор не имеет себе равных. и когда машина работает, она принимает режим постоянного тока.

2. Цифровая коррекция коэффициента мощности осуществляется микропроцессором, что позволяет уменьшить значение параметра схемы фильтра после диодного выпрямления и сделать коэффициент мощности постоянным не менее 0,95 (обычно это 0,97 или 0,98).

3. Быстрая защита от сбоев. Это может гарантировать, что все сбои могут быть отключены в течение 10 мкс, не вызывая повреждения оборудования.

4. Схема управления имеет функцию плавного пуска-останова, чтобы предотвратить слишком большой рост тока и напряжения в процессе пуска-останова, чтобы вызвать перенапряжение и перегрузку по току.

Внедрение технологии управления инвертором DPLL

DPLL — это сокращение от цифрового контура фазовой автоподстройки частоты. мы используем эту технологию для управления инвертором ВЧ сварочного аппарата второго поколения. Ранее в сварочном аппарате первого поколения мы использовали традиционную технологию фазовой синхронизации искусственной цепи. если вы хотите исправить данные сварщика, в соответствии с этой технологией вам придется менять множество потенциометров, что довольно сложно и трудно снова показать одни и те же данные.Также непрофессионалам не разрешается производить регулировку.

Петля фазовой автоподстройки частоты искусственной цепи захвачена узко, точность отслеживания фазы низкая. DPLL успешно устраняет вышеуказанный недостаток, а также с DSP, он может легко реализовать центральную систему управления с функциями выборки, обработки, отображения, защиты и т. д. сигнала. Кроме того, с помощью высокоскоростного DSP мы можем легко реализовать онлайн-коррекцию фазы.

Сравнение интегрированного сварщика HF и старое поколения HF сварщик

50Гц Режим управления ШИМ-модуляции Входной фильтрация Без

9033 2 Водяное охлаждение.97 9032131
Сравнение Parameter MOSFET & IGBT Integrated HF сварщик твердотельное состояние HF (резонанс серии)
Diode SCR
Частота 5-14KHZ
Фазовый сдвиг триггера
L
Выход Фильтрация LC LC LC
Выходной DC высокая плотность DC квадратная волна половина волны половина волны <5 %
Режим охлаждения Водяное охлаждение
КПД AC-DC 97 % <90 %, большие потери реактивной мощности
Коэффициент мощности Это меняется от 0 ~ 0,90
Схема управления Advance Control DSP много разных досок
объем объем небольшой объем, компактный дизайн, легкий вес Большой объем, структура разбросана, тяжелые Вес
All-In-One Design No NO
0
0
Высокий
энергопотребления Низкий Высокий
RUB Высокая
Помехи в электросети Маленькие, легко устраняемые Большие, трудно устраняемые

Прямой завод в Китае IGBT / Mosfet Высокочастотный сварочный аппарат — Низкая цена, высокое качество 9006 хорошо известно, что только наш одноплатный сварочный аппарат 110/220 В, DC Protable IGBT Inverte r сварщик, прямо на заводе Инверторный сварочный аппарат MIG с превосходной технологией и качеством может завоевать похвалу наших клиентов.Наша компания стремится создавать качественные продукты и улучшать жизнь для всех благодаря собственным усилиям и вкладу. Мы надеемся, что сотрудники обладают сильным чувством ответственности и самоотверженности для достижения цели, а также настойчивостью для преодоления неудач, возникающих в работе. Мы следим за тенденцией технологического развития и настаиваем на независимых технологических инновациях с отличной командой R&D. Что такое быстрая доставка? Мы делаем доставку в соответствии с требованиями клиентов.

Список упаковки

MMA-250GS сварочный аппарат

1 ШТ. 1,5 млн. 16 мм2 Земля 120019

1 шт. 1.5M 160007

1 шт. 1,5 млн. 16 мм2 Держатель электрода

1 шт. Маска, 1 шт. Кисть

Руководство пользователя


ANA Ryan

ТАЙЧЖОУ JIALILAI NEW ENERGY CO., LTD.

Веб-сайт: www.jarilaequipment.com, www.jlljd.net   

Эл.

Скайп: [email protected]


МОДЕЛЬ:MMA-250GS

Входное напряжение переменного тока (В) :220В переменного тока ±15%

Номинальная входная мощность (кВА) :3,7

Частота (Гц) В) :62

Диапазон выходного тока (А) :30-250

Номинальное выходное напряжение (В): 30

Рабочий цикл (%) :65

Эффективность (%): 85

Класс защиты: 90IP21

Класс изоляции: F

Диаметр электрода (мм): 2,5-4,0

Вес (кг): 7 кг

Размер (M): 0.45X0.22X0.30M 

С миссией «стремиться к развитию бизнеса высокочастотных сварочных аппаратов IGBT / Mosfet» и видением «создания выдающихся преимуществ для клиентов» мы продолжаем внедрять инновации, разрабатывать и производить новые продукты. которые отвечают требованиям времени. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам. Услуга хорошо принята пользователями!

250A SPARK IGBT MMA Сварочный инвертор MOSFET MMA 240V DC Portable Machine

Условия продажи .

 

 

 

Мы гарантируем, что поставляемые нами товары будут соответствовать указанным в рекламе характеристикам, однако мы не можем гарантировать точную совместимость или пригодность. Ответственность за проверку этого перед заказом лежит на покупателе. Мы стараемся, чтобы вся предоставленная информация была максимально точной.

 

Мы оставляем за собой право принять или отклонить любой заказ по любой причине. Никакой заказ не будет считаться обязывающим до тех пор, пока он не будет принят нами.

 

Все цены указаны в фунтах стерлингов.

 

Условия оплаты: наличные, PayPal, кредитные/дебетовые карты, банковский перевод (без чеков).

 

Право собственности на товары остается за GSL Limited до полной оплаты.

 

Цены на доставку указаны только для материковой части Великобритании. В некоторых горных районах, Северной Шотландии, Ирландии и на островах Шанель может взиматься дополнительная плата. Для доставки за пределы материковой части Великобритании, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения предложения.

 

Все даты поставки указаны ориентировочно.

 

 

Пожалуйста, проверьте наличие недостачи или повреждений в вашем заказе и, если возможно, свяжитесь с нами в течение 48 часов с момента доставки. При условии предоставления этого уведомления мы организуем сбор, замену и ремонт или возмещение стоимости товара бесплатно.

 

Все товары предлагаются при наличии на складе. Если по какой-либо причине они больше не доступны, мы постараемся предложить альтернативу или бесплатное обновление, в противном случае мы оставляем за собой право расторгнуть договор и предложить возмещение.

 

 

 

Важно – Закон о правах потребителей 2015 г.

 

В соответствии с Законом о правах потребителей 2015 г. Период «охлаждения»). Вы имеете право отменить подписку по любой причине без штрафных санкций.

 

Если вы хотите расторгнуть договор, пожалуйста, напишите нам, НАПИШИТЕ НА ЭЛЕКТРОННУЮ ПОЧТУ или по электронной почте, указав номер счета-фактуры и инструкции по расторжению договора.

 

Чтобы расторгнуть договор, вы должны уведомить нас в течение 30 дней, начиная со дня, следующего за днем ​​получения вашего заказа.

 

 

 

По закону вы обязаны бережно относиться к товару. Вы должны вернуть товар нам за свой счет на наш адрес, указанный ниже.

 

Ни при каких обстоятельствах мы не несем ответственности за любой ущерб, вызванный прямым или косвенным неправильным использованием наших продуктов.

 

Если это более удобно, мы можем организовать доставку нашими курьерами, любые понесенные расходы будут вычтены из вашего окончательного возмещения.Мы вернем вам полную сумму, уплаченную за товар, за вычетом затрат на сбор товара в течение 30 дней с момента получения уведомления об отмене.

НЕ ВОЗВРАЩАЕТСЯ после 30 дней с момента получения. Мы отремонтируем или заменим товар, если он неисправен.

Вишай — 2010 Супер 12

СУПЕР 12 ПОПУЛЯРНЫЕ ПРОДУКЦИЯ
2010

Драйверы IGBT/MOSFET, VO3120 и VO3150A

Самый широкий диапазон напряжения питания при высокой рабочей нагрузке Температура

Функции

  • Самый широкий диапазон напряжения питания от 15 В до 32 В
  • Широкий диапазон рабочих температур от −40 °C до +110 °C. °С
    • Обычно конкуренты максимум только 100 °C
  • Низкий ток питания 2.5 мА или меньше

Приложения:

  • Электроприводы для двигателей переменного тока и бесщеточных двигателей постоянного тока моторы
  • Индукционные плиты
  • Источники питания (UPS и SMPS)
  • Инверторы и DC/DC преобразователи
  • Сварочное оборудование
  • Плазменные дисплеи

Больше информации

Ошибка 404 — Страница не найдена

Страна COUNTRYAfghanistanÅland IslandsAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Индийский океан TerritoryBruneiBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCaribbean NetherlandsCayman IslandsChadChileChinaChristmas IslandCocos IslandsColombiaComorosCongo, Демократическая RepublicCook IslandsCosta RicaCroatiaCubaCuraçaoCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEast TimorEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland IslandsFaroe IslandsFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench PolynesiaFrench Южный TerritoriesGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuernseyGuineaGuinea-BissauGuyanaHaitiHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsle из ManIsraelItalyIvory CoastJamaicaJapanJerseyJordan KazakhstanKenyaKiribatiKosovoKuwaitKyrgyzstanLaosLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacaoMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfork IslandNorwayOmanPakistanPalauPalestinian TerritoryPanamaPapua Новый GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairn IslandPolandPortugalPuerto RicoQatarRepublic из CongoReunionRomaniaRussiaRwandaSaint HelenaSaint Киттс и NevisSaint LuciaSaint Пьер и MiquelonSaint Винсент и GrenadinesSamoaSan MarinoSao Томе и PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSint MaartenSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Грузии и Южные Сандвичевы IslandsSouth KoreaSouth SudanSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard и Ян MayenSwazilandSwedenSwitzerlandSyriaTaiwanTajikistanTanzaniaThaila ндТогоТокелауТонгаТринидад и ТобагоТунисТурцияТуркменистанОстрова Теркс и КайкосТувалуУгандаУкраинаОбъединенные Арабские ЭмиратыВеликобританияСоединенные ШтатыОтдаленные малые острова СШАУругвайУзбекистанВануатуВатиканВенесуэлаВьетнамВиргинские острова, Британские Виргинские острова, СШАЗападная СахараЙеменЗамбияЗимбабве

Технология ремонта аппаратов для струйной сварки MOSFET с эквивалентным Mosfet

Привет и добро пожаловать, ребята, сегодня в этом посте я расскажу вам технику ремонта аппаратов для струйной сварки Mosfet.Если вы получили какие-либо повреждения вашего аппарата для дуговой сварки после взрыва внутри, этот пост поможет вам отремонтировать ваш аппарат для взрывной сварки MOSFET.

На самом деле, когда мы делали сварку в любом месте, в это время, если что-то пойдет не так со сварочным аппаратом, мы сразу же слышим взрывной звук внутри сварочного аппарата. Эта проблема возникает из-за большой нагрузки и схемы сортировки.

Когда мы слышим звук взрыва и дым внутри сварочного аппарата, это означает, что некоторые компоненты сгорели.В большинстве случаев это происходит с MOSFET и IGBT. Если ваш сварочный аппарат разработан с MOSFET, вы сожжете MOSFET. И если ваш сварочный аппарат разработан с IGBT, вы сожжете IGBT. Чтобы устранить проблему, следуйте приведенным ниже инструкциям.

Техника ремонта аппарата для струйной сварки на МОП-транзисторах

  • Сначала проверьте сгоревшие компоненты внутри сварочного аппарата.
  • После обнаружения сгоревших компонентов снимите их с платы.
  • Теперь надо понять, что за компоненты сгорели.Я уже упоминал выше, что в большинстве случаев мы сгораем MOSFET или IGBT. Но в вашем случае может быть иначе.
  • Если в вашем сварочном аппарате используется MOSFET или IGBT, просто найдите номер. Вы получите данные о сгоревших компонентах из Интернета. просто загрузите техническое описание из Интернета в соответствии с номером компонента.
  • После этого штрафной компонент с тем же номером и установка на то же место.
  • Если вы не нашли тот же номер MOSFET или IGBT, вы можете установить тот же компонент с более высоким значением.Например, в вашем сварочном аппарате есть полевой МОП-транзистор 40N60, и вы не получили тот же номер на рынке, что в этом месте вы можете установить 45N60, 46N60, 48N60 и т. Д. Вот так. Это фактическая техника ремонта машины для взрывной сварки MOSFET.

ПРИМЕЧАНИЕ : На протяжении всей моей жизни я получаю взрыв MOSFET и IGBT от этого типа проблемы со сварочным аппаратом. Таким образом, вы можете выполнить описанный выше процесс и устранить проблему со сварочным аппаратом.

Если у вас есть какие-либо запросы и вопросы, касающиеся техники ремонта аппаратов для взрывной сварки MOSFET с эквивалентным MOSFET, вы можете высказать свое мнение в поле для комментариев ниже.Я отвечу вам в течение 2 или 3 дней.

Некоторые фотографии ремонта сгоревшего сварочного аппарата ARC

Смотреть видео о ремонте сварочного аппарата постоянного тока после взрыва Полное руководство сварочный аппарат?

Отремонтировать сварочный аппарат очень просто. просто следуйте правилам техники ремонта электронных сварочных аппаратов.Я объяснил это в этой статье Техника ремонта аппарата для взрывной сварки MOSFET с эквивалентным MOSFET.

Почему мой сварочный аппарат перестал работать?

Если что-то повредится внутри сварочного аппарата, ваш свадебный аппарат перестанет работать. Чтобы решить эту проблему, вы должны применить технику ремонта сварочного аппарата, которую я объясню в этой статье.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.