Электроды марки Э42А: технические характеристики, отличительные особенности
Перед началом проведения сварочного процесса необходимо выбрать нужные материалы, с помощью которых можно качественно выполнить работу. Основным материалом, без которого не может обойтись сварщик — электроды самые распространенные и доступные металлические и неметаллические стержни.Для проведения конкретного вида работ необходимо иметь определенные электроды, они должны обладать необходимой электропроводностью.
Впервые электроды стали применяться в 1802 году и за это время они совершенствовались, их характеристики и виды покрытий улучшались, а значит, и качество работы становилось лучше. Применяемые для сварки электроды имеют свою классификацию и обозначения, делятся на конкретные марки.
Электроды марки Э42А
Эта марка материала является одной из самых распространенных для выполнения сварочных работ. Она предназначена для дуговой сварки углеродистых (с содержанием 0,25% углерода) и низколегированных видов стали. С их помощью можно выполнять сварочные работы в различных пространственных положениях, что упрощает работу специалисту. Электроды функционируют от источника с постоянным или переменным током обратной полярности. Они имеют сертификат качества коэффициента наплавки, показали себя в работе очень положительно. Любой качественный электрод должен обеспечить во время сварки:- Сравнительно легкое зажигание дуги с устойчивым горением
- Расплавление на рабочем покрытии равномерное
- Ровное покрытие шва шлаком
- Шлак после сварочных работ должен легко удаляться
- Отсутствие на металлическом шве трещин, пор и непроваров.
Материал данной марки рекомендован для работ на высоте в монтажных условиях. Железный порошок, который содержится в поверхности катодов, значительно повышает уровень производительности сварочных процессов. В их составе содержится 60% массы покрытия, такие данные указаны в сертификатах. О высоком уровне качества электродов свидетельствуют отзывы специалистов-сварщиков, а также обычных потребителей, которым довелось с ними работать.
Технические характеристики марки Э42А
В обозначении электродов используется маркировка, буква «Э», что означает электрод. Указанные цифры указывают на минимальное временное сопротивление разрыву шва металла либо сварного соединения в кгс/мм2. Буква «А» — кислое покрытие, а это значит, что электроды с таким покрытием не склонны образовывать поры в процессе сварки металла, покрытого ржавчиной или окалиной, при удлинении дуги. Марка Э42А имеет свои технические характеристики:- Коэффициент «наплавок» — 9 г/Ач
- Стержневая длина — до 45 см
- Диаметр — 4-6 мм
- Расход на 1 кг наплавленного металла — 1,6 кг
- Временное сопротивление разрыву — 420 МПа
- Относительное удлинение — 22%
- Вязкость ударная при температуре +20оС до -40оС — 150 Дж/см2
- Род тока электродов — постоянный обратной полярности
- Пространственное положение сварки — разные, кроме сверху вниз в вертикальной плоскости
- Почти не реагирует на изменение длины дуги, что в итоге дает высокое качество работы даже при нестабильном напряжении.
Наплавленный металл с химическим составом:
- Углерод — максимум 0,12%
- Марганец — 0,35-0,65%
- Кремний — 0,2- 0.3%
- Сера и фосфор — не более 0,03%.
Отличительные особенности и специфика применения
Данная марка электродов имеет свои отличительные особенности и специфику применения. Сварной шов получается достаточно прочным и даже немного пластичным, что позволяет ему выдерживать большие нагрузки (на излом). После образования поверхностного слоя шлака его можно легко удалить. Сварочный шов получается однородным и если соблюдать все правила технологии сварочных процессов, то в швах не образуются «микропустоты» в наплавляемой структуре.С такими электродами легко работать, поэтому они часто применяются в выполнении сварочных работ в частных домах людьми, которые не владеют профессией сварщика и не имеют нужного опыта. Они обладают легким «зажиганием», во время работы наблюдается стабильность дуги и низкий расход материала. Такая марка имеет большой ассортимент, поскольку отличается материалом покрытия. Технические характеристики дают возможность проводить сварочные работы со ржавым и влажным металлом. Данный вид отлично сочетает хорошее качество с доступной ценой.
У данного вида материала есть свои ограничения в использовании, например, сварка сверху вниз в вертикальной плоскости не ведется. Также для работы необходим источник питания — ток переменного или постоянного тока, но с обратной полярностью. В некоторых случаях, когда предъявляются к качеству шва особые требования, применяются унифицированные электроды данной марки.
Заключение
Электроды Э42А могут использоваться при выполнении любых видов монтажных или ремонтных работ, причем как опытными специалистами, так и начинающими сварщиками. По своей стоимости они немного выше, чем другие марки, за 1 килограмм изделий придется заплатить примерно 43 рубля.
Оцените статью: Поделитесь с друзьями!Э42А УОНИ-13/45
Электроды для сварки углеродистых и низколегированных сталей → Тип Э42А
|
ГОСТ 9466-75 ГОСТ 9467-75 ТУ 1272-001-50133500-2003 |
AWS:E6015 DIN 1913-E4343B10 EN 499:Е383В10 |
Э42А-УОНИ-13/45- Ø -УД Е412(5)-Б20 |
Основное назначение электрода
Электроды марки УОНИ-13/45 предназначены для ручной дуговой сварки особо ответственных конструкций из углеродистых сталей, когда к металлу сварных швов предъявляются повышенные требования по пластичности и ударной вязкости. Сварка во всех пространственных положениях, кроме вертикального сверху вниз, постоянным током обратной полярности.
Рекомендуемое значение тока (А)
|
Диаметр, мм |
Положение шва | ||
|
нижнее |
вертикальное |
потолочное | |
|
2.5 |
70-90 |
|
60-80 |
|
3.0 |
100-130 |
90-120 |
90-120 |
|
4.0 |
130-180 |
120-160 |
120-160 |
|
5.0 |
170-210 |
160-210 |
|
Характеристики плавления электродов Э42А
|
Коэффициент наплавки, г/Ач |
9,0 |
|
Расход электродов на 1 кг наплавленного металла, кг |
1,6 |
Основные характеристики металла шва и наплавленного металла.
Механические свойства металла шва, не менее
|
Временное сопротивление разрыву, МПа |
420 |
|
Относительное удлинение, % |
22 |
|
Ударная вязкость, Дж/см 2, при температуре +20°С |
150 |
|
-40°С |
35 |
Химический состав наплавленного металла, %
|
Углерод, не более |
0,12 |
|
Марганец |
0,35-0,65 |
|
Кремний |
0,2-0,3 |
|
Сера, не более |
0,03 |
|
Фосфор, не более |
0,030 |
Время последней модификации 1272155631
404 ошибка
Санкт-Петербург
- Главная
- Продукция
- Монтаж металлоконструкций
- Строительные металлоконструкции
- Мачты осветительные
- Быстровозводимые здания
- Прожекторные мачты и молниеотводы
- Мачты сотовой связи
- Металлические фермы
- Металлические арки
- Металлические рамы для дорожного строительства
- Опоры дорожных знаков
- Эстакады для трубопроводов и кабелей
- Фундаменты
- Изделия из нержавейки любой сложности
- Лестницы 1.405.3-7.34.2-КМ1
- Металлические ограждения лестниц общественных зданий 1.256.2-2
- Лестница канализационная Л1
- Лестницы-стремянки для канализационных колодцев
- Лестницы серия 3.903 кл-13 выпуск 0-1
- Колонны КГ, КХ, стойки СТХ, СТГ, СТлХ, СТлГ
- Ограждения лестниц боковые ОЛХ и ОЛГ
- Ограждения площадок ОПБХ, ОПБГ, ОПТГ, ОПТХ
- Площадки ПХФ, ПХВ, ПХР ПГФ, ПГВ, ПГР по серии 1.450.3-7.94
- Стремянки СГ и СХ, ограждения стремянок ОСГ, ОСХ
- Металлические ограждения и заборы
- Трубошпунт
- Подкрановые балки
- Мостовые конструкции
- Геодезические знаки
- Забивные стальные сваи
- Противопожарные двери
- Ковши для элеваторов
- Швартовые тумбы
- Металлоконструкции для РЖД
- Контррельсовый узел
- Анкерная оттяжка тип АК-1
- Анкерная оттяжка тип А-2, Б-2, АП-2, БП-2
- Анкерная оттяжка тип АК-2, БК-2
- Консоль изолированная горизонтальная ИГ
- Консоль изолированная горизонтальная с подкосом ИГП
- Консоль изолированная наклонная
- Консоль неизолированная швелерная
- Узел компенсированной анкеровки контактной подвески переменного тока
- Узел полукомпенсированной анкеровки контактной подвески переменного тока на ж/б опоре
- Консоль изолированная горизонтальная средней анкеровки ИГС
- Консоль изолированная наклонная ИН
- Узел жесткой анкеровки контактной подвески переменного тока на ж/б опоре
- Узел крепления консолей на промежуточных опорах на удлинителях
- Фиксатор Ш-1
- Фиксатор анкеруемой ветви типа ФА-25
- Фиксатор сочлененный прямой тип ФП-25
- Фиксатор сочлененный обратный типа ФО-25
- Фиксатор сочлененный воздушных стрелок тип ФКС-25
- Ограничитель подъема дополнительных фиксаторов
- Кронштейн фиксаторный
- Стойка фиксаторная изогнутая
- Фиксатор дополнительный КС-109
- Фиксатор сочлененный обратный ФОИ-25
- Стойка дополнительного фиксатора КМ-117
- Фиксатор сочлененный прямой ФПТ
- Фиксатор анкеруемой ветви ФПА
- Фиксатор сочлененный обратный ФПО
- Фиксатор сочлененный прямой ФП-25
- Фиксатор сочлененный обратный ФО-25
- Кронштейн ограничителя грузов
- Кронштейн типа КФ-5
- Кронштейн типа КФ-6,5
- Кронштейн типа КФУ-5
- Кронштейн типа КФД
- Кронштейн типа КФДС
- Кронштейн типа КФПУ-50
- Кронштейн типа КФПУ-63
- Кронштейн типа А-III
- Кронштейн типа А-IV
- Кронштейн фидерный ТФ3
- Кронштейн фидерный ТФ2
- Кронштейн фидерный ТФ1
- Кронштейн фидерный ТН-1
- Кронштейн фидерный ТВ-1
- Траверса переходных опор
- Металлоконструкция рогового разрядника на ж.б. опоре
- Металлоконструкция рогового разрядника для установки на ригеле жесткой поперечины
- Металлоконструкция ограничителя перенапряжения на ж.б. опоре
- Установка разъединителя на ж.б. опоре
- Установка разъединителя для ДПР с моторным приводом на ж.б. опоре
- Узел крепления кронштейна КС-141
- Хомут для крепления кронштейнов КМ-131
- Хомут нижнего фиксирующего троса КС-132
- Хомут для подвешивания троса КС-133
- Узел крепления пяты консоли КС-139
- Узел крепления тяги консоли КС-140
- Хомут верхний КМ-129
- Хомут нижний КМ-130
- Роговый разрядник постоянного тока РР-1
- Оголовок ОГ-1 жестких перекладин
- Надставка Т-образная тип II жестких перекладин
- Подвес треугольный жесткой перекладины
- Ригель 30,260 м
- Ригель 34,010 м
- Ригель 39,165
- Ригель 44,165
- Ригель 44,165 м
- Швартовно-причальное оборудование для портов
- Судовое оборудование
- Металлические понтоны
- Цепи конвейерные
- Металлоконструкции кранов
- Навигационные знаки
- Дорожные металлоконструкции
- Изготовление металлических каркасов
- Технологические металлоконструкции
- Газоходы
- Циклоны ЦН-15
- Циклоны
- Пылеуловители (циклоны)
- Пылеуловитель ВЗП-300 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ВЗП-200 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ВЗП-400 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ВЗП-450 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ВЗП-500 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ВЗП-600 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ВЗП-800 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ВЗП-1000 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ВЗП-1200 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ВЗП-1300 серия 5.904-77.94
- Пылеуловитель ПВМ3СА серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ5СА серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ10СА серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ20СА серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ40СА серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ3Б серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ5Б серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ10Б серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ20Б серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ40Б серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ5КБ серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ10КБ серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ20КБ серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ40КБ серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ5КМА серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловитель ПВМ10КМА серия 5.904-8, 5.904-23
- Пылеуловители КМП
- Пылеуловитель ПВМ20ЗИК
- Пылеуловитель ПВМ30ЗИК
- Пылеуловитель ПВМ40ЗИК
- Пылеуловитель ВЗП-М
- Пылеуловители КЦМП
- Пылеулавитель МПР
- Пылеуловители УСД-ЛИОТ
- Конвейерные ролики, роликоопоры
- Градирни
- Дымоходы из нержавеющей стали
- Дымоходы стальные
- Нестандартные металлоконструкции
- Контейнера
- Металлоконструкции из профильной трубы
- Металлоконструкции и металлоизделия из нержавеющей стали
- Светопрозрачные металлоконструкции
- Рекламные металлоконструкции
- Приспособление для испытания лестниц
- Технологические тележки
- Формы для ЖБИ
- Металлоконструкции шахт лифта
- Кнехты сварные
- Аэродромные плиты металлические PSP
- К-1Д. Сборное покрытие для ВПП аэродромов
- Строительная тара
- Бадья для бетона БН-0,5
- Бадья для бетона БН-1,0
- Бадья для бетона БН-1,5
- Бадья БН-1,0-Н (низкая)
- Бадья БН-1,5-Н (низкая)
- Бадья БН-2,0-Н (низкая)
- Бадья для бетона БН-2,0
- Конус КА (Конус Абрамса)
- Тара для мусора ТС-2.2 самооткрывающаяся
- Тара для мусора ТС-1.2 самооткрывающаяся
- Форма куба 2ФК-100
- Бадья для бетона БП-1,0 поворотная
- Бадья для бетона БП-1,6 поворотная
- Бадья для бетона БП-2,0 поворотная
- Ящик каменщика
- Ящик штукатура
- Ящик растворный ЯР-1-У
- Ящик ТР-0,25 (лодочка)
- Ящик ТР-0,5 (лодочка)
- Ящик ТР-1,0 (совок)
- Ящик ТР-1,5 (совок)
- Ящик ТР-2,0 (совок)
- Изделия из нержавейки
- Радиационно-защитное оборудование
- Стальные люки приборов КИП
- Ставни стальные герметические
- Радиационно-защитные двери
- Металлоконструкции для энергетики
- Емкостное оборудование
Электроды Э42
Электроды это самый доступный и распространенный сварочный материал в том числе Э42 . Каждая марка обладает различными свойствами и сочетанием, которые обеспечивают необходимые требования. Выбор марки электродов зависит от типа работы, которую надо выполнить.
Марки стали, ее толщины, условий работы и тому подобное. Современные типы электродов делятся исходя из технологических показателей и физических характеристик, которые и определяют материалы, с которыми они работают и допустимые условия сварки.
При этом сварочные электроды одной группы могут быть различных марок. Электроды Э42 имеют различные покрытия, а значит и определенные технологические отличия. Особенно распространенными электродами данного вида являются сварочные электроды типа Э42 АНО 6, которые применяются для работы с углеродистой сталью, которая состоит из углерода не выше чем на 0,25%.
Эти электроды работают от источника непрерывного тока либо переменного тока с обратной полярностью. В совокупности электроды Э42 имеют показатель наплавки вблизи 10 г/Ач. Сварочные электроды Э42 имеют, также различный диаметр от 4 до 6 миллиметров, и их составляет 1,6 кг электродов на 1 кг наплавленного металла. Шов имеет в своем составе такие элементы как фосфор, сера, марганец и кремний.
Электроды АНО 6 имеют рутиловое покрытие. Основу покрытия этих электродов составляет природный диоксид титана. Стойкость металла шва, вопреки образованию трещин, высокая. Эти электроды владеют целым рядом превосходств по сопоставлению с другими видами, а именно: обеспечивают сильное и стабильное горение дуги, небольшие потери металла, легкую отделимость корки шлака, и чудесное образование шва.
Электроды Э42 малочувствительны к образованию при сварке влажного или ржавого металла, или при изменении длины дуги. Поры в швах возникают при использовании повышенных режимов тока при работе с тавровыми швами, или при сварке электродом большого диаметра тонкого металла. Сварочные электроды АНО 6 дозволяют производить сварочные работы по грунтовочным покрытиям с толщиной около 20-25 мкм без снижения механических свойств и образования пор.
Рекомендовано:
Значимым превосходством этих электродов является легкость зажигания дуги наименьшей плотностью тока, при котором вожможен дуговой разряд. Они гораздо превосходят электроды с основным покрытием по образованию шва и плавного перехода от него к основном металлу.
Таблица 1. Электроды для сварки углеродистых и низколегированных сталей | ||||
| Марка электрода | Тип покрытия | Род тока и полярность | Коэффициент наплавки, г/А.ч | Назначение |
| Тип Э42 | ||||
| ОМА-2 | АЦ | Постоянный и переменный | 7,0-9,0 | Для сварки конструкций из тонколистовых сталей |
| АНО-5 | РЖ | Постоянный и переменный | 11,0 | Для сварки ответственных конструкций, работающих при статических и динамических нагрузках |
| АНО-1 | РЖ | Постоянный и переменный, 65В | 15,0 | Для сварки длинных и многопроходных швов |
| ВСЦ-4 | Ц | Постоянный, любая полярность | 10,5 | Сварка первого и второго слоев стыков труб из низкоуглеродистых сталей |
| Тип Э42А | ||||
| СМ-11 | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,5 | Сварка особо ответственных конструкций, в том числе работающих при отрицательной температуре |
| Тип Э46 | ||||
| АНО-3/АНО-4 | Р | Постоянный, любая полярность | 8,5 | Сварка ответственных конструкций, в том числе работающих при динамических нагрузках |
| ОЗС-4/МР-3 | Р | Переменный, постоянный, обратная полярность | 8,0-9,0 | Сварка ответственных металлоконструкций |
| ОЗС-6 | РЖ | Переменный, постоянный, обратная полярность | 8,5 | Сварка ответственных конструкций из низкоуглеродистых сталей |
| ОЗС-12 | Р | Постоянный и переменный | 7,5-8,5 | Сварка ответственных конструкций из низкоуглеродистых сталей, наиболее пригодны для сварки тавровых соединений |
| РБУ-4/РБУ-5 | Р | Переменный, обратная полярность | 9,5-10,5 | Сварка ответственных конструкций из низкоуглеродистых сталей |
| ОЗС-3 | РЖ | Переменный, постоянный, обратная полярность, 65В | 15,0 | Сварка ответственных конструкций из низкоуглеродистых сталей, сварка опиранием электрода |
| ОЗСЧ-17Н | РЖ | Постоянный и переменный | 9-10 | Сварка методом наклонного электрода на специальных установках |
| Тип Э46А | ||||
| УОНИ 13/45 | Б | Постоянный, обратная полярность | 8,5-10 | Сварка особо ответственных конструкций, в том числе работающих при низких температурах |
| Э138/45Н | Б | Постоянный, обратная полярность | 8,5 | Сварка подводной части корпусов судов |
| Тип Э50 | ||||
| ВСЦ-4А | Ц | Постоянный, любая полярность | 10,0-10,5 | Сварка первого и второго слоев стыков труб из низколегированных сталей |
| ВСН-3 | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,0 | Сварка трубопроводов из стали 10Г2, работающих при температуре до —70°С |
| Тип Э50А | ||||
| УОНИ-13/55 | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,0 | Сварка ответственных конструкций из низко- и среднеуглеродистых сталей, работающих в условиях севера |
| ДСК-50 | Б | Постоянный, обратная полярность, переменный | 10,0 | Ответственные конструкции из низколегированных сталей 14ХГС и 15ХСНД |
| ОЗС-18 | Б | Постоянный, обратная полярность | 9-9,5 | Ответственные конструкции из низколегированных сталей 10ХНДП, толщиной до 15 мм |
| К-5А | Б | Постоянный, обратная полярность, переменный, 65В | 9,0 | Ответственные конструкции из углеродистых и низколегированных сталей |
| Э-138/50Н | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,0 | Сварка подводной части морских судов |
| АНО-9 | Б | Постоянный, обратная полярность, переменный | 9,5-10,0 | Сварка ответственных конструкций из углеродистых и низколегированных сталей |
| ЦУ-5 | Б | Постоянный, обратная полярность | 8,0-9,0 | Сварка труб поверхностей нагрева котлов, тонкостенных труб из сталей 10 и 20 |
| ТМУ-21 | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,5-10,0 | Сварка трубопроводов из углеродистых и кремнемарганцевых сталей |
| Э55, Э60 | ||||
| УОНИИ-13/55У | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,5 | Сварка ванным способом стержней арматуры железобетона из сталей Ст5, 18Г2С, 25ГС, 15ГС и др. |
| УОНИИ-13/65 | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,0 | Сварка ответственных машиностроительных конструкций из среднеуглеродистых, а также хромистых, хромо-молибденовых и хромокремнемарганцевых сталей |
| ВСФ-65 | Б | Постоянный, обратная полярность | 8,5-9,5 | Сварка ответственных машиностроительных конструкций из среднеуглеродистых, а также хромистых, хромомолибденовых и хромокремнемарганцевых сталей |
| Э70, Э85 | ||||
| ВСФ-75 | Б | Постоянный, обратная полярность | 8,5-9,5 | Сварка высоконагруженных машиностроительных конструкций из среднеуглеродистых и низколегированных сталей повышенной и высокой прочности |
| ЛКЗ-70 | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,5 | Сварка высоконагруженных машиностроительных конструкций из среднеуглеродистых и низколегированных сталей повышенной и высокой прочности |
| УОНИИ-13/85 | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,5-10,5 | Сварка высоконагруженных машиностроительных конструкций из среднеуглеродистых и низколегированных сталей повышенной и высокой прочности |
| НИАТ-3М | Б | Постоянный, обратная полярность | 9,0-10,0 | Сварка конструкций из сталей с временным сопротивлением разрыву 60—100 кгс/мм2 (30ХГСА, 30ХГСНА и др.) |
Электроды Э42 — технические характеристики и особенности применения
Существует несколько методик проведения сварочных работ, но ручной способ остается все-таки основным, особенно в частном секторе. Вряд ли кто станет тратить деньги на «полуавтомат», если аппарат будет эксплуатироваться только от случая к случаю (о правилах его выбора читайте здесь). Дуговая сварка ведется с помощью металлических стержней с поверхностным напылением, которые различаются своими характеристиками, а, следовательно, и спецификой применения.
Технические условия на изготовление и особенности использования катодов марки «э42» регламентируются ГОСТ №№ 9466, 9467 от 1975 года. Ими целесообразно работать при сварке низколегированных и углеродистых сталей, причем в случае, если к получаемому шву предъявляются особые требования в плане вязкости (ударной) и пластичности.
Кроме того, учитывается и такой показатель, как сопротивление разрыву (временное) материала – до 50 кг/мм2. При более высоких значениях этого параметра электроды «Э42» заменяются другими. Чаще всего (особенно в быту) для ручной сварки используются марки серии «АНО 6» 3 – 6 мм (с рутиловым покрытием).
Особенности электродов «Э42»
- Сварной шов имеет достаточную прочность и некоторую пластичность, следовательно, способен выдерживать значительные нагрузки (на излом).
- Удаление поверхностного образования (шлака) сложностей не представляет.
- Однородность шва. При соблюдении технологии сварочных операций не происходит образование «микропустот» в структуре «наплавки».
- Данными электродами сможет работать даже человек, не имеющий достаточного опыта.
- Легкое «зажигание».
- Стабильность дуги «э42».
- Низкий расход материала.
- Большой ассортимент электродов данной марки (отличаются материалом покрытия).
- Возможность работы с ржавыми или влажными металлами.
- Оптимальное сочетание качества получаемого шва и стоимости электродов.
Технические характеристики
- Коэффициент «наплавки» – порядка 10 г/Ач.
- Длина стержня – до 45 см.
- Примерный расход материала – на 1 кг шва (наплавленного металла) примерно 1,6 кг.
- Практически не «реагирует» на изменение такого параметра, как длина дуги, что позволяет обеспечить высокое качество работ при нестабильности напряжения (в определенных пределах).
Специфика применения
- Данные электроды имеют некоторое ограничение в использовании, так как с ними сварка в вертикальной плоскости, сверху вниз, не ведется.
- Источник питания – или постоянного тока, или переменного, но с обратной полярностью.
- В отдельных случаях, когда к качеству предъявляются особые требования, используются унифицированные электроды «э42а».
Цена
Так как чаще всего при дуговой сварке применяются катоды серии «АНО 6», то целесообразно привести ориентировочные данные лишь по этой разновидности продукции. Стоимость 1 кг – 43 рубля. Цена на другие электроды этой марки начинается с 39 руб/кг (например, «МР 3»).
Вывод
- Электроды э42 могут использоваться практически при любых видах ремонтных или монтажных работ как профессиональными, так и начинающими сварщиками.
- При использовании в частном секторе наиболее подходящими являются катоды «э42 АНО 6».
Твердотельные диоды и характеристики диодов [Analog Devices Wiki]
В электронике диод представляет собой двухконтактный компонент с асимметричной характеристикой тока и напряжения, с низким (идеально нулевым) сопротивлением току в одном направлении и высоким (идеально бесконечным) в другом. Кремниевый полупроводниковый диод, наиболее распространенный тип, представляет собой монокристаллический кусок полупроводникового материала с PN-переходом, подключенным к двум электрическим клеммам.
5.1 PN-переход
PN-переход формируется путем соединения полупроводников p-типа и n-типа вместе в монокристаллическую решетку. Термин «переход» относится к границе раздела, где встречаются две области полупроводника. Если бы переход был построен из двух отдельных частей, это привело бы к разрыву в кристаллической решетке, поэтому PN-переходы создаются в монокристалле полупроводника путем введения определенных примесей, называемых легирующими добавками, например, ионной имплантацией, диффузией или эпитаксией (выращиванием). слой кристалла, легированного примесями n-типа, поверх слоя кристалла, легированного примесями p-типа, например).
PN-переходы являются элементарными строительными блоками почти всех полупроводниковых электронных устройств, таких как диоды, транзисторы, солнечные элементы, светодиоды и интегральные схемы; это активные сайты, на которых происходит электронное действие устройства. Например, обычный тип транзистора, транзистор с биполярным соединением, состоит из двух последовательно соединенных PN-переходов в форме NPN или PNP.
5.1.1 Свойства PN-перехода
PN-переход демонстрирует некоторые интересные свойства, которые находят полезное применение в твердотельной электронике.Полупроводник, легированный p-примесью, относительно проводящий. То же самое верно и для полупроводника с примесью n-типа, но переход между областями p- и n-типа является непроводником. Этот непроводящий слой, называемый обедненным слоем, возникает из-за того, что электрически заряженные носители, электроны в кремнии n-типа и дырки в кремнии p-типа, диффундируют в материал другого типа (, т.е. электронов в p-типе и дырки в n -type) и устраняют друг друга в процессе, называемом рекомбинацией. Эта диффузия заряда вызывает встроенную разность потенциалов в области истощения.Путем манипулирования этим непроводящим слоем PN-переходы обычно используются как диоды: элементы схемы, которые пропускают электрический ток в одном направлении, но не в другом (противоположном) направлении. Это свойство объясняется в терминах прямого смещения и обратного смещения, где термин смещение относится к приложению электрического напряжения к PN-переходу. PN-переход будет проводить ток, когда приложенное внешнее напряжение превышает встроенный потенциал перехода.
5.1.2 Равновесие (нулевое смещение)
В PN-переходе без внешнего приложенного напряжения достигается состояние равновесия, при котором на переходе образуется разность потенциалов.Эта разность потенциалов называется встроенным потенциалом, В BI .
На стыке полупроводников p-типа и n-типа более высокая концентрация электронов в области n-типа вблизи границы раздела PN имеет тенденцию диффундировать в область p-типа. Когда электроны диффундируют, они оставляют положительно заряженные ионы (доноры) в n-области. Точно так же более высокая концентрация дырок на стороне p-типа вблизи границы раздела PN начинает диффундировать в область n-типа, оставляя фиксированные ионы (акцепторы) с отрицательным зарядом.Области, непосредственно прилегающие по обе стороны от интерфейса PN, теряют свою нейтральность и становятся заряженными, образуя область пространственного заряда или слой обеднения (см. Рисунок 5.1).
Рисунок 5.1 PN-переход в состоянии равновесия
Электрическое поле, создаваемое областью пространственного заряда, препятствует процессу диффузии как для электронов, так и для дырок. Есть два одновременных явления: процесс диффузии, который имеет тенденцию генерировать больший объемный заряд, и электрическое поле, создаваемое объемным зарядом, которое стремится противодействовать диффузии.В состоянии равновесия эти две силы уравновешивают друг друга. Профиль концентрации носителей в состоянии равновесия показан на рисунке 5.1 синими и красными линиями. Также показаны два уравновешивающих явления, которые устанавливают равновесие.
Область пространственного заряда — это зона с чистым зарядом, обеспечиваемым фиксированными ионами (донорами или акцепторами), которые остались незакрытыми диффузией основных носителей заряда. Когда равновесие достигнуто, плотность заряда аппроксимируется ступенчатой функцией, показанной на рисунке 5.2 Q (x) график. Фактически, область полностью обеднена основными носителями (оставляя плотность заряда равной чистому уровню легирования), а граница между областью пространственного заряда и нейтральной областью довольно резкая. Область пространственного заряда имеет одинаковый заряд по обе стороны от интерфейса PN, поэтому она простирается дальше в менее легированную сторону (сторона n на рисунках 5.1 и 5.2).
5.1.3 Прямое смещение
При прямом смещении положительное напряжение прикладывается к стороне p-типа по отношению к стороне n-типа перехода.При подаче напряжения таким образом дырки в области p-типа и электроны в области n-типа вытесняются к переходу. Это уменьшает ширину истощающего слоя. Положительный заряд, приложенный к материалу p-типа, отталкивает дырки, тогда как отрицательный заряд, приложенный к материалу n-типа, отталкивает электроны. Расстояние между электронами и дырками уменьшается по мере того, как они движутся к стыку. Это снижает встроенный потенциальный барьер. С увеличением напряжения прямого смещения обедненный слой в конечном итоге становится достаточно тонким, чтобы встроенное электрическое поле больше не могло противодействовать движению носителей заряда через PN-переход, что, в свою очередь, снижает электрическое сопротивление.Электроны, которые пересекают PN-переход в материал p-типа (или дырки, которые проникают в материал n-типа), будут диффундировать в почти нейтральную область. Следовательно, степень диффузии неосновной части в зонах, близких к нейтральной, определяет величину тока, который может протекать через диод.
Только основные носители (электроны в материале n-типа или дырки в материале p-типа) могут проходить через полупроводник на макроскопическую длину. Имея это в виду, рассмотрим поток электронов через переход.Прямое смещение вызывает силу на электронах, толкающую их со стороны N к стороне P. При прямом смещении область обеднения достаточно узкая, чтобы электроны могли пересекать переход и инжектироваться в материал p-типа. Однако они не продолжают течь через материал p-типа бесконечно, потому что для них энергетически выгодно рекомбинировать с дырками. Средняя длина, которую электрон проходит через материал p-типа до рекомбинации, называется диффузионной длиной, и обычно она составляет порядка микрон.
Хотя электроны проникают в материал p-типа только на короткое расстояние перед рекомбинацией, электрический ток продолжается непрерывно, потому что дырки (основные носители) начинают течь в противоположном направлении, заменяя те, с которыми рекомбинируются электроны неосновных носителей. Полный ток (сумма токов электронов и дырок) постоянен в пространстве, потому что любое изменение вызовет накопление заряда с течением времени (это текущий закон Кирхгофа). Поток дырок из области p-типа в область n-типа в точности аналогичен потоку электронов от N к P (электроны и дырки меняются ролями, и знаки всех токов и напряжений меняются местами).
Таким образом, макроскопическая картина протекания тока через диод включает в себя электроны, текущие через область n-типа к переходу, дырки, протекающие через область p-типа в противоположном направлении к переходу, и два вида носителей, постоянно рекомбинирующие в близость (определяемая диффузионной длиной) перехода. Электроны и дырки движутся в противоположных направлениях, но они также имеют противоположные заряды, поэтому общий ток идет в одном направлении с обеих сторон диода, если требуется.
5.1.4 Обратное смещение
Обратное смещение обычно относится к тому, как диод используется в цепи. Если диод смещен в обратном направлении, напряжение на катоде выше, чем на аноде. Следовательно, ток не будет течь, пока электрическое поле не станет настолько сильным, что диод не сломается.
Поскольку материал p-типа теперь подключен к отрицательной стороне приложенного напряжения, отверстия в материале p-типа отодвигаются от перехода, в результате чего толщина обедненного слоя увеличивается.Точно так же, поскольку область n-типа подключена к положительной стороне, электроны также будут отводиться от перехода. Следовательно, обедненный слой расширяется и увеличивается с увеличением напряжения обратного смещения. Это увеличивает барьер напряжения, вызывая высокое сопротивление потоку носителей заряда, таким образом, позволяя только очень небольшому электрическому току протекать через PN переход.
Напряженность электрического поля обедненного слоя увеличивается по мере увеличения напряжения обратного смещения.Как только напряженность электрического поля превышает критический уровень, слой истощения PN-перехода разрушается, и начинает течь ток, обычно в результате процессов Зенера или лавинного пробоя. Оба этих процесса пробоя являются неразрушающими и обратимыми, пока величина протекающего тока не достигает уровней, которые вызывают перегрев полупроводникового материала и вызывают термическое повреждение.
Этот эффект используется в схемах стабилизаторов на стабилитронах.Стабилитроны имеют четко определенное низкое обратное напряжение пробоя по своей конструкции. Типичное значение напряжения пробоя составляет, например, 6,2 В. Это означает, что напряжение на катоде никогда не может быть более чем на 6,2 В выше, чем напряжение на аноде, потому что диод выйдет из строя и, следовательно, станет проводящим, если напряжение станет выше. Это эффективно ограничивает напряжение на диоде.
Другое применение, где используются диоды с обратным смещением, — это варакторные диоды (переменные конденсаторы).Слой обеднения действует как изолятор между двумя проводящими пластинами или выводами диода. Емкость зависит от ширины изоляционного слоя и его площади. Ширина зоны истощения любого диода изменяется в зависимости от приложенного напряжения. Это изменяет емкость диода. Варакторы специально спроектированы так, чтобы одна сторона PN-перехода была слегка легированной, поэтому на этой стороне диода будет большая область обеднения. Эта более толстая область также больше зависит от приложенного напряжения смещения, и, таким образом, изменение емкости диода (ΔC / ΔV) будет сильно зависеть от приложенного напряжения смещения.
Сводка раздела
Свойства прямого смещения и обратного смещения PN-перехода предполагают, что он может использоваться в качестве диода. Диод с PN-переходом позволяет электрическим зарядам течь в одном направлении, но не в противоположном; отрицательные заряды (электроны) могут легко проходить через переход от N к P, но не от P к N, и обратное верно для дырок. Когда PN-переход смещен в прямом направлении, электрический заряд течет свободно из-за пониженного сопротивления PN-перехода.Однако, когда PN-переход имеет обратное смещение, барьер перехода (и, следовательно, сопротивление) становится больше, и поток заряда очень мал.
5.2 Фактические диоды
На рисунке 5.3 ниже схематично изображен диод (a) и показан типичный лабораторный диод (b). Диоды — довольно распространенные и полезные устройства. Можно представить себе диод как устройство, позволяющее току течь только в одном направлении. Это чрезмерное упрощение, но хорошее приближение.
Рисунок 5.3: (a) Схематический символ диода (b) малосигнальный диод.
Как обсуждалось ранее, полупроводниковые диоды изготавливаются в виде двухслойной структуры, образующей PN переход. Полупроводники, такие как кремний или германий, могут быть легированы небольшими концентрациями определенных примесей, чтобы получить материал, который проводит электричество через перенос электронов (n-тип) или через дырки (p-тип). Когда слои из этих двух типов легированных полупроводников построены так, чтобы образовать PN-переход, электроны мигрируют от стороны n-типа, а дырки мигрируют от стороны p-типа, как показано на рисунке.5.1. Это перераспределение заряда приводит к появлению потенциального промежутка В, , BI, поперек перехода, как показано на рисунке. Этот зазор равен VBI ~ 0 . 7 В для кремния и ~ 0 . 3 В для германия.
Рисунок 5.4 PN-переход, образующий промежуток напряжения на переходе
Когда этот диод с PN-переходом теперь подключен к внешнему напряжению, это может эффективно увеличивать или уменьшать встроенный потенциальный зазор.Это приводит к очень разному поведению, в зависимости от полярности этого внешнего напряжения, как показано на типичном графике В — I на рисунке. 5.5. Когда диод смещен в обратном направлении, как показано на рисунке 5.6, зазор увеличивается, и через переход проходит очень небольшой ток (до тех пор, пока в конечном итоге в этом примере не произойдет пробой поля при ~ 6,2 В). И наоборот, конфигурация с прямым смещением уменьшает зазор, приближаясь к нулю для внешнего напряжения, равного напряжению зазора, и ток может течь легко.
Выражение для напряжения на диоде (прямое смещение) В D выглядит следующим образом:
(5.1)
Где:
В D = приложенное напряжение на диоде
k = постоянная Больцмана (1,38E-23 Дж / Кельвин)
T = абсолютная температура в Кельвинах
q = заряд электрона (1,6E-19 Кулонов)
I D = фактический ток через диод
I S = ток диффузии (постоянная, зависящая от устройства)
(Так называемое тепловое напряжение, В T , составляет кТ / q = 26 мВ при комнатной температуре.)
Приведенное выше уравнение можно изменить, чтобы получить I D :
(5.2)
Таким образом, при обратном смещении диод ведет себя как разомкнутый переключатель; и при прямом смещении для токов примерно 10 мА, или более диод дает почти постоянное падение напряжения ~ 0,7 В . Диффузионный ток I S, зависит от уровня легирования примесей n-типа и p-типа, площади диода и (в очень большой степени) от температуры.Разумной отправной точкой для диода интегральной схемы с малой геометрией является I S = 1E -16 .
Рисунок 5.5: Зависимость напряжения В D от тока, I D , поведение диода
Противоположные заряды в полупроводниковом переходе ничем не отличаются от зарядов на пластинах конденсатора. Итак, у каждого перехода есть емкость; но поскольку расстояние между электронами и дырками, обедненный слой, изменяется с приложенным напряжением, емкость зависит от приложенного напряжения.Чем ниже напряжение, тем выше емкость, и она будет увеличиваться прямо в области прямого смещения.
Неразрушающий контроль (NDT) Products Limited
Главный офис: 113-115 Cushman Rd., Блоки 21-23
St. Catharines, ON, CA L2M 6S9
Телефон: 905-934-5195 / факс: 905-934-2665
(бесплатный звонок): 1-833-202 -4504
Эл. Почта:
Офис в Западной Канаде:
6137 80th Street NW
Edmonton, AB, CA T6E 2W8
Телефон: 587-463-0135
Факс: 587-463-0284
Qubec and The Maritimes:
6539 Chemin St.Francois
St. Laurent, Qubec, CA h5S 1B6
Тел .: 514-457-4287
Факс: 514-457-4143
Бесплатный звонок: 1-800-229-5280
Только отображать продукты, доступные в: Онтарио, Западная Канада, Восточная Канада
Интернет-каталог продуктов неразрушающего контроля (NDT) Limited
Оборудование и материалы для неразрушающего контроля
Транспортное оборудование и материалы для технического обслуживания
Системы фильтрации сточных вод
Лучшее месяца
ПРЕДЛОЖЕНИЕ ПРОДЛЕТСЯ ДО 30 ИЮНЯ 2018!
Программа UPGRADE была создана для текущих клиентов CR / DR, у которых есть CRxFlex V1 и CRxTower.
Решение включает CRxFlex V2, ноутбук или настольный компьютер (монитор высокого разрешения и настольный компьютер) и новейшее программное обеспечение Rhythm.
Применяются ограничения:
1. Это ТОЛЬКО для существующих клиентов, без исключений.
2. Заказчик несет ответственность за возврат старых CRxFlex V1 или CRxTower компании GE.
Если это не сделать в течение 30 дней, взимается дополнительная плата.
CRxFlex V2 trade-in включает:
— Отгрузка новой системы CRxFlex V2 заказчику
— Инженер по техническому обслуживанию и ремонту для выполнения следующих действий
-Распаковка и установка новой системы (3 часа)
-Базовое обучение пользователей новым функциям (максимум 1 час.)
-Перенос старых данных изображения на новый компьютер (макс. 8 часов) *
-Удаление старой лицензии Rhythm
— Лом старого CRxFlex (необязательное компьютерное оборудование)
— Заказчик: возврат старого оборудования в Ahr / Ltn с RMA в течение 30 дней (в противном случае взимается полная стоимость по списку)
БЕСПЛАТНОЕ ПРОФИЛАКТИЧЕСКОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ В ПЕРВОМ ГОДУ
НА ВИДЕОСКОПАХ XL VU И XL LV
Получите бесплатное профилактическое обслуживание в течение первого года * от NDT Products при покупке видеоскопа XL Vu или XL LV.
Стоимость — 2 700 канадских долларов!
Свяжитесь с вашим техническим торговым представителем, чтобы запросить дополнительную информацию или получить коммерческое предложение сегодня.
* Замена деталей оплачивается отдельно. Только один ПМ на каждое приобретенное оборудование. Ваучер необходимо запросить в течение одного года с момента покупки.
ПРОДАЖА Б / У И ДЕМОНСТРАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ
Отличные цены на оборудование, используемое для демонстраций, оценок и торговых выставок !!!
Нажмите на изображение ниже, чтобы просмотреть рекламную листовку
‘; документ.getElementById (‘fullsizeImage’). src = imgbase + imgfile; document.getElementById (‘overlayLayer’). style.display = »; } function hidepic () { document.getElementById (‘overlayLayer’). style.display = ‘none’; document.getElementById (‘overlayLayer’). innerHTML = »; } function changepic (product, imgfile) { document.getElementById (‘productImage’ + product) .src = thmbase + imgfile; вернуть imgfile; } // ->
Двигатели Pentastar: обзор и технические характеристики
3,6-литровый двигатель Pentastar мощностью 305 лошадиных сил и 270 фунтов.-фт. крутящего момента в Dodge Challenger; 90% крутящего момента доступно в диапазоне от 1800 до 6350 об / мин. В Ram двигатель также рассчитан на 305 лошадиных сил и 269 фунт-фут крутящего момента. Меньший 3,2-литровый Pentastar в Jeep Cherokee имеет мощность 271 л.с. и 239 фунт-фут крутящего момента.
Двигатели Pentastar имеют конструкцию с открытой площадкой, с четырьмя отверстиями для возврата масла под отверстиями под болты головки; dana44 написал: «Два нижних болта с внешней головкой должны иметь направляющие, чтобы головки правильно выровнялись; дополнительное отверстие в верхней задней части, я полагаю, предназначено для подачи масла.Я думаю, мы также рассматриваем основные крышки с шестью болтами, но по крайней мере четыре болта, два или четыре вертикальных и два горизонтальных … Я думаю [открытое пространство под возвратными отверстиями] — это отверстия для слива масла. Подача находится в верхней задней части цилиндра, вы можете видеть то, что похоже на отверстие рядом с головным болтом ».
Открытая дека удешевляет изготовление за счет верхней опоры цилиндра; В истории Chrysler было множество двигателей с открытой палубой, включая алюминиевые наклонные шесть и нынешние четырехцилиндровые.Турбонагнетатель может быть добавлен без изменения обработки деки, с использованием специальных прокладок головки с уплотнительными кольцами или другими способами.
Версия с двойным турбонаддувом и с одним турбонагнетателем изначально планировалась к выпуску к 2014 году; оба будут основаны на наименьшем размере (3,0 литра) и могут быть предназначены для моделей ограниченного производства (например, нового Viper на основе Maserati или автомобиля среднего размера SRT). Версия с двойным турбонаддувом была рассчитана на колоссальные 420 лошадиных сил, в то время как одинарная турбина была установлена на 370 л.с. Разработанный Maserati и Ferrari, модель 3.0 с двойным турбонаддувом получил 404 лошадиных силы. В Twin Turbo используются разные головки и внутренние части с модифицированными блоками, но общая базовая конструкция одинакова; и блоки поставлены Chrysler.
Узнайте больше о двигателях Pentastar, слухах и планах. Работа над прямым впрыском продолжается, но до этого еще не все.
Экономия 3.3 была снижена, но в 3.2 используются поршни с меньшим трением, более узкие втулки, меньшие шейки и коренные подшипники, а также другие стержни, что значительно снижает сопротивление качению и увеличивает расход топлива.Головки разные, блоки такие же.
Несмотря на то, что уже продано четыре варианта 3.6 — задний привод (290 л.с.), AWD (292 л.с.), FWD (283 л.с.) и Challenger (305 л.с.), есть только две конструкции головки, два впускных коллектора и один набор внутренних компонентов, включая кулачок и поршни (это, вероятно, изменилось, когда они добавили установку Ram, 305 л.с., хотя представитель сказал, что главным преимуществом Ram было пространство, доступное для выхлопа), согласно статье SAE Пола Вайслер.Увеличение мощности Challenger на 13 лошадиных сил связано с «более агрессивной системой впуска воздуха», которая увеличила поток воздуха с 214 до 220 г / с.
Двигатель может работать как на обычном бензине, так и на топливе E85 без ухудшения характеристик или снижения выбросов.
Вот и основных нововведений:
- Регулируемая синхронизация кулачков с двойным независимым фазированием кулачков, которая помогает сглаживать выходную мощность и значительно улучшать качество холостого хода.В системе используются отдельные фазовращатели на каждом кулачке, что позволяет достичь лучших результатов, чем система с двумя регулируемыми фазами газораспределения на World Engine, но с более простой и прочной конструкцией.
- Выпускной коллектор встроен в саму головку, количество режущих деталей
- Цепной привод заменяет обычный ремень ГРМ, для большей долговечности и точности
- Элемент масляного фильтра без канистры — предотвращает захоронение мусора, допускает сжигание; также облегчает замену масла своими руками и предотвращает возникновение дыр в местах замены масла или чрезмерное затягивание фильтра.
- Масло к антифризу Маслоохладитель в «V»
- Бензин с нормальным октановым числом (87) используется даже с версией мощностью 305 лошадиных сил на Challenger
- Усиленные нейлоновые крышки кулачков и впускной модуль для снижения веса и ограничения воздушного потока
- Все аксессуары прикручены непосредственно к блоку, чтобы избежать вибрации и шума
- Легкий блок — экономит алюминий и снижает общую вес автомобиля (в том числе улучшение баланса)
- Литые под высоким давлением блоки экономят труд, имеют более тонкие стенки и на 20 фунтов легче, чем блоки V6 GM, что позволяет экономить около 40 долларов на двигатель на алюминии и способствует гораздо более низкой стоимости сборки, чем двигатели GM.
Порты и коллекторы
Двигатель оснащен впускным и выпускным отверстиями с высокой пропускной способностью, что в сочетании с двумя независимыми фазами кулачка обеспечивает оптимальные объемные характеристики и эффективность сгорания во всем диапазоне оборотов и нагрузок. Это приводит к исключительной ровной кривой крутящего момента и высокой удельной мощности.
Впускной клапан представляет собой неразъемную конструкцию, изготовленную из кованой жаропрочной (мартенситной) стали; Выпускные клапаны состоят из двух частей, с кованной аустенитной головкой, приваренной к мартенситному штоку, и оба имеют азотированную обработку поверхности для предотвращения задиров (за исключением наконечника и стопорных канавок).Роликовые коромысла, поворачиваясь на неподвижных регуляторах зазора, приводят в действие клапаны, которые используют три фиксатора борта, которые помогают вращению и удерживают пружины.
ГРМ
В приводе ГРМ используются четыре цепи , каждая из которых представляет собой «бесшумное звено цепи» для улучшения зацепления звездочки и снижения шума, вибрации и резкости (NVH). Одна цепь с подпружиненным натяжителем приводит в действие масляный насос; три привода распредвалов. В цепях первичного и вторичного распределительных валов используются натяжители цепи с регулируемым давлением масла; левый вторичный использует храповик, правый вторичный и первичный — нет.Направляющие цепи и рычаги натяжителя изготовлены из стеклонаполненного нейлона с изнашиваемыми поверхностями из нейлона.
Головки блока цилиндров Pentastar V6
Головки блока цилиндров изготовлены из алюминия с уникальным литым левым и правым корпусом и встроенными выпускными коллекторами. Клапаны имеют запрессованные направляющие из порошкового металла, которые не подлежат обслуживанию. В клапанном механизме используются роликовые коромысла с гидравлическими подъемниками. Трубки свечей зажигания запрессованы в головки и запломбированы; у трубок тонкие стенки, и механикам рекомендуется соблюдать осторожность при работе с ними.
Легкий блок
Блок цилиндров выполнен из алюминия, литого под высоким давлением, с открытой декой и прорезями между цилиндрами; гильзы цилиндров из литой стали увеличивают срок службы. Три форсунки поршневого маслоохладителя установлены на блоке двигателя (каждая охлаждает два поршня) и прикреплены к главному масляному каналу.
Используются четыре крышки коренных подшипников из порошкового металла; они скреплены поперечными болтами со стрелками, в которые впрессованы стрелки. Состоящие из двух частей верхние полуупорные подшипники, расположенные на основном подшипнике №2; они устанавливаются масляными канавками наружу.Крышки коренных подшипников
Технические характеристики и особенности настольных мониторов и телевизоров
Компания ViewSonic выпустила три настольных монитора, каждый из которых имеет 14-битную 3D LUT и встроенную функцию однородности цвета. Они предназначены для редактирования видео, разработки контента и других приложений, критичных к цвету. ViewSonic VP3481a оснащен 34-дюймовым дисплеем WQHD MVA (3440 x 1440) с кривизной 1800R. Дисплей поддерживает 8-битный цвет и покрывает 99% цветового пространства sRGB.Он предлагает 400 …
3 ноября 2020 г.
Nokia выпустила свои первые смарт-телевизоры эксклюзивно для Индии. Похоже, бренд решил расшириться в Европе. Через лицензиата бренда Streamview GmbH Nokia будет продавать свои смарт-телевизоры в Австрии, Германии и Швейцарии. Компания будет продавать и другие продукты под брендом Nokia, в том числе телевизионные приставки. Продажи начнутся прямо перед Рождеством и будут включать телевизоры от 32 до 75 дюймов. Все телевизоры Nokia оснащены …
2 ноября 2020 г.
Компания Acer выпустила пару игровых мониторов на различных рынках по всему миру.В Азии есть Acer XZ270U P или XZ270UPbmiiphx. Он оснащен 27-дюймовым VA-дисплеем с кривизной 1500R, разрешением QHD, поддержкой 8-битного цвета, яркостью 250 кд / м² и статической контрастностью 4000: 1. Монитор поддерживает AMD FreeSync с частотой обновления до 165 Гц. Он имеет два порта HDMI 1.4, DisplayPort 1.2, наушники …
2 ноября 2020 г.
Семь месяцев назад Sharp объявила, что приобретет 66% акций NEC Display Solutions, чтобы стать дочерней компанией Sharp и стать совместной работали с NEC как совместное предприятие.По состоянию на 1 ноября передача акций является фактом. В результате новое юридическое лицо будет называться Sharp NEC Display Solutions Co., Ltd. или SNDS. Новое совместное предприятие также получает новое руководство. Он будет сосредоточен на разработке …
2 ноября 2020 года
Согласно последнему исследованию Omdia, производители ЖК-телевизоров, как ожидается, отгрузят 256 млн панелей ЖК-телевизоров в 2021 году, что на 6% меньше. Ожидается, что китайские производители телевизионных дисплеев увеличат свое доминирующее положение в мировых поставках с рыночной долей 64% в 2021 году, что на 10% больше по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.Исследование также показало, что производители панелей меняют свое внимание с 43-дюймовых панелей на 65- / 75-дюймовые панели, а это означает, что …
28 октября 2020 г.
Vizio объявила, что ее ProGaming Engine, доступный на M-Series Quantum, Quantum серии P и Quantum X серии P получают обновление программного обеспечения, повышающее производительность, с добавлением поддержки технологии AMD FreeSync. С обновлением телевизоры VIZIO M-Series сертифицированы для AMD FreeSync, а P-Series — для AMD FreeSync Premium. Для упрощения подключения и совместимости с устройствами HDMI, поддерживающими VRR, используется автоматический VRR…
28 октября 2020 г.
Компания LG выпустила еще один монитор из серии UltraFine с подставкой Ergo. После LG 32UN880, LG 27UN880, LG 34WN780 и LG 27BN88Q теперь выпускается LG 27BN88U. Все они оснащены подставкой LG Ergo с зажимом C-Clamp, обеспечивающим исключительную эргономичность. При необходимости он может выдвигаться и втягиваться, поворачиваться на 280 градусов в любом направлении, поворачиваться в любом направлении, наклоняться и регулировать высоту до 130 мм. …
28 октября 2020
Lenovo анонсировала Lenovo Qreator 27 на выставке CES 2020, и этот монитор должен был поступить в продажу в марте.Однако только в этом месяце этот продукт появился на рынке. Он построен на основе 27-дюймового IPS-дисплея с разрешением 4K (3840 x 2160), охватом цветового пространства 99% sRGB и 98% DCI-P3. Дисплей поддерживает 8-битный + FRC цвет и сертифицирован VESA DisplayHDR 400. Он обеспечивает 320 нит …
27 октября 2020 г.
22 октября TCL CSOT провела свою конференцию Global Display Ecosystem Conference 2020 (DTC 2020) в Шэньчжэне. В центре внимания конференции было обсуждение пути развития технологий TCL CSOT и представление четырех новых концептуальных продуктов, основанных на передовых технологиях отображения.Первой идеей, представленной TCL CSOT, был 142-дюймовый дисплей Activie MLED на основе стекла IGZO, который демонстрирует концепцию бесконечного соединения, позволяющую … Линия серии. Все они имеют диагональ 23,8 и 27 дюймов. Здесь мы расскажем о наиболее общих чертах о них. Часть новых моделей имеет панели IPS с контрастностью 1000: 1, а остальные — панели VA с контрастностью 3000: 1. В любом случае стандартная яркость составляет 250 нит.Все они оснащены портом HDMI 1.4 и входом D-Sub, разъемом для наушников …
23 октября 2020
Xiaomi Mi Fast Response Monitor 24.5 с кодом модели XMMNT245HF уже поступил в предварительную продажу в Китае. Обычно его цена составляет 1499 юаней (224 доллара США), в период предпродажи он будет стоить всего 999 юаней (150 долларов США). Этот монитор оснащен 24,5-дюймовой панелью дисплея Fast IPS с разрешением FHD, стандартной яркостью 400 нит, сертификатом VESA DisplayHDR 400, 100% sRGB и 95% охватом цветового пространства DCI-P3, TUV Rheinland Low…
23 октября 2020
Сегодня появился еще один новый 31,5-дюймовый монитор — LG 32QN650. Он идентичен LG 32QN650, с той лишь разницей, что новая модель также предлагает регулировку по высоте. Следовательно, вес и габариты с подставкой немного отличаются. С точки зрения свойств отображения две модели идентичны. В них используется 3-сторонний дизайн практически без полей с подставкой Edge-ArcLine. Дисплей IPS …
23 октября 2020
Компания AOC China выпустила дуэт новинок 31.5-дюймовые настольные мониторы. Технические характеристики обеих моделей идентичны. Единственное отличие — это их дизайн. AOC Q32V3S черного цвета с прямоугольным основанием подставки с закругленными углами, а AOC Q32V3S — белого цвета с овальным основанием подставки. С точки зрения технических характеристик дисплея, эргономики, возможностей подключения и функций эти два монитора идентичны. Каждый из них имеет 31,5-дюймовый IPS …
23 октября 2020 г.
В июне этого года TCL CSOT инвестировала в JOLED для совместной разработки крупноформатных печатных OLED-дисплеев для телевизоров.TCL CSOT уже инвестировала около 30 миллиардов долларов США в производство дисплеев от Gen 6 до Gen 11 в Китае и Индии с использованием ЖК-дисплеев, LTPS, OLED и других технологий, что делает TCL CSOT крупным центром в мире дисплеев. Согласно последним отчетам China International 2020 OLED …
22 октября 2020 года
Наряду с четырьмя игровыми мониторами из серии Predator XB3, Acer также представила два игровых монитора Nitro. Оба имеют сертификат Eyesafe и оснащены эргономичными подставками для регулировки наклона, поворота, высоты и поворота.Acer XV272U KV оснащен 27-дюймовым IPS-дисплеем Agile-Splendor с разрешением QHD, Delta E
21 октября 2020 г.
Сегодня знаменательный день для Acer с огромным количеством анонсов своих новейших компьютеров, ноутбуков, проекторы и др. Самый интересный анонс — анонс новейших игровых мониторов серий Predator XB3 и Nitro. Новые мониторы Predator XB3 включают четыре модели с разрешением от FHD до QHD, высокой частотой обновления и сертификатами VESA DisplayHDR.Давайте рассмотрим их подробнее …
21 October 2020
Компания LG Innotek разработала высокоэффективный феррит, позволяющий создавать сверхтонкие телевизоры. По словам производителя: «Феррит — это магнитный материал с оксидом железа в качестве основного сырья, а ферритовый порошок затвердевает в форме плитки», чтобы обеспечить стабильное питание для телевизионных дисплеев и других промышленных продуктов. Например, он также может снизить вес транспортных средств, что приводит к увеличению …
20 октября 2020 г.
Передовой технологический институт Samsung (SAIT) объявил о новой технологии QLED синего цвета, не содержащей кадмия.Поскольку известно, что синий цвет является наиболее сложным для реализации из трех основных цветов QLED (красного, синего и зеленого), это достижение, появившееся вслед за разработкой Samsung технологии красного QLED в ноябре прошлого года, еще раз доказывает превосходство Samsung в сфера технологии квантовых точек. Квантовые точки — это …
20 октября 2020
LG наконец-то готова к выпуску первого в мире раскладного телевизора — LG SIGNATURE OLED R, также известного как LG OLED65RXPUA для США и LG OLED65RXKNA для Южной Кореи.Во-первых, телевизор будет доступен только в Южной Корее по цене 100 миллионов вон (87 000 долларов США). Буква R в названии означает не только то, что телевизор можно вращать, но и то, что телевизор также является революционным в сфере домашних развлечений, переопределяя отношения …
20 октября 2020
В дополнение к 4K QLED Oppo Smart TV S1 65 Сегодня компания Oppo представила две другие модели телевизоров, но из другой серии — R1. Это Oppo Smart TV R1 65 и Oppo Smart TV R1 55. За исключением огромного размера дисплея, габаритов, веса и энергопотребления, эти 4K-телевизоры обладают идентичными функциями.Оба они основаны на панелях VA 60 Гц 4K с прямой светодиодной подсветкой и поддержкой цвета 8-bit + FRC. Вычислительная мощность …
19 октября 2020 г.
Для выхода на рынок телевизоров Oppo решила выпустить не одну, а всего три модели. Самым интересным из трех является Oppo Smart TV S1 65. Этот телевизор во многом напоминает Samsung QE65Q80T. Оба используют панели 4K VA с прямой светодиодной подсветкой и FALD, обеспечивают максимальную яркость 1500 нит и используют технологию QLED. Oppo Smart TV S1 65 имеет 210 зон локального затемнения, поддерживает 10-битный цвет (8-бит + FRC)…
19 октября 2020
Компания Asus выпустила пару игровых мониторов TUF, которые находятся в процессе сертификации как совместимые с NVIDIA G-Sync. Это 27-дюймовый Asus VG279QR и 24,5-дюймовый Asus VG259QR. Два игровых монитора имеют идентичные функции, и единственные фактические различия между ними — это размер дисплея, размеры и вес. Каждый из них предлагает IPS-дисплей FHD с яркостью 300 кд / л, статической контрастностью 1000: 1 и …
19 октября 2020 г.
Vizio запустила массово свои ЖК-телевизоры 4K 2020 года в июле, однако только 85-дюймовый Vizio P85QX-h2 из серии P Quantum X не был доступен даже в виде спецификаций с официального сайта Vizio.Однако с сегодняшнего дня это частично изменилось, поскольку эта модель телевизора уже была размещена на веб-сайте Vizio без подробных спецификаций. Мы уже знаем, что в США он будет продаваться за 3000 долларов. В телевизоре используется …
18 октября 2020 г.
Исследование TrendForce показало, что китайские производители дисплейных панелей будут производить более 50% панелей для мониторов в 2021 году. Более конкретно, китайские производители увеличат количество дисплеев на своих мониторах. Доля рынка панелей с 39% в 2020 году до 52% в 2021 году, согласно предварительному прогнозу TrendForce от производителей панелей на 2021 год.Если посмотреть на этот рынок с точки зрения позиционирования бренда, он является лидером …
18 октября 2020 г.
Hisense запустила в Китае новую серию OLED-телевизоров, получившую название Hisense J70. В эту серию входят две модели: Hisense 65J70 Hisense 55J70 Ранее в этом году Hisense представила три технологии собственной разработки, которые решают ключевые проблемы с панелями OLED. Остается неясным, применила ли компания эти технологии в своих новых OLED-телевизорах. В новой серии OLED-телевизоров J70 есть три интересных момента…
16 октября 2020
Интернет-магазины в Китае перечислили Asus PG32UQX, представив его технические характеристики и цену. Монитор был анонсирован еще в январе вместе с ROG Swift PG43UQ. Asus ROG Swift PG32UQX имеет мини-светодиодную подсветку с 1152 зонами, поддерживающую 32-дюймовую панель IPS-дисплея с разрешением 4K (3840 x 2160) и 95% покрытием DCI-P3. Пиковая яркость монитора составляет 1400 нит и соответствует стандарту VESA DisplayHDR 1400 …
16 October 2020
 Шаговые двигатели 42BYGHФормат NEMA 17 (42 × 42 мм)  Скачать технический паспортОбщие технические характеристики шагового двигателя 42BYGH:
Электрические характеристики:
Электрические характеристики:
Примечания: Все шаговые двигатели доступны с двойным валом. Механические размеры:  Схема электрических соединений  Все технические данные могут быть изменены 2012/02 Язык английский |
Мультиэлектродные матрицы — Scholarpedia
Рис. 1: Сеть нервных клеток, полученная из диссоциированной ткани спинного мозга мыши, растущей на 64-электродной записывающей матрице. Электроды расположены на расстоянии 40 мкм по бокам и 200 мкм между рядами.Прозрачные проводники из оксида индия и олова имеют ширину 10 мкм. Места записи подвергаются лазерной деизоляции с последующим электролитическим осаждением золота для уменьшения импеданса на частоте 1 кГц примерно до 1 МОм.МЭБ — это устройства с фиксированной геометрией микроэлектродов, предназначенные для параллельной электрофизиологической записи на нескольких участках. Большое количество разработанных и использованных проектов MEA невозможно описать в одной короткой статье. Наш опыт был ограничен простыми двумерными пластинами с матрицами электродов, лишенными активных схем, для исследований in vitro в области нейробиологии.В этой статье основное внимание уделяется плоским пассивным массивам с интегрированными в субстрат микроэлектродами для использования в культурах нейрональных клеток.
История
Рисунок 2: (A) CNNS MMEP-4, показывающий стеклянную пластину 50 x 50 x 1 мм с 32 контактами усилителя с каждой стороны. (B) 1 мм 2 область записи с электродной матрицей 8 x 8, равное расстояние между ними 150 мкм. Электролитическое золочение открытого прозрачного оксида индия-олова в мелких кратерах снижает импеданс границы раздела до 800 кОм.(C) MMEP-5 с двумя отдельными записывающими островками с 32 микроэлектродами на каждом. Межцентровое расстояние между областями записи составляет 2,24 см. Контакты усилителя такие же, как у ММЭП-4. (D) Используется крестообразная конструкция электрода или MMEP-5B для увеличения вероятности сцепления электрода с ячейкой в культурах с низкой плотностью. (E) Микрофотография двух соседних электродов записывающей матрицы MMEP-5B. Лазерная деизоляция позволяет выбрать количество открытых участков и избежать второго этапа химического травления.(F) Один электрод в культуре с большим мультиполярным нейроном (живая культура, фазово-контрастная микроскопия).Концепция использования групп микроэлектродов для записи или стимуляции нервной ткани так же стара, как и понимание того, что мониторинг динамических нейронных систем требует одновременного захвата нескольких электрофизиологических событий. Однако отсутствие соответствующих методов микроэлектроники и большие потоки данных препятствовали систематическому изготовлению и применению до второй половины 20 века.К концу этого столетия технологии догнали потребности нейробиологов, что привело к взрыву разработок, приложений и сопутствующих им новых нейрофизиологических данных. Сфера применения массивов микроэлектродов обширна и включает в себя наборы подвижных микроэлектродов (Crain, 1976), связки проволочных электродов и игольчатых электродов с фиксированной решеткой (Schmidt, 1999), а также «кинжалы» для многоузловой записи (Wise et al., 1970). Эти категории дополнительно усложняются устройствами со встроенной электроникой (BeMent et al., 1986), или массивы с полевыми транзисторами, которые часто классифицируются как «активные массивы» (Fromherz, et al., 1991). О таких массивах нужно поговорить отдельно от этой статьи. Обзорная статья Пайна дает более подробную информацию о ранних разработках (Pine, 2006). Теория, конструкция и моделирование тонкопленочных электродов также хорошо представлены в обзорной статье Kovacs (1994).
Первая функциональная планарная матрица с использованием фотолитографированных тонкопленочных проводников была задумана и изготовлена Thomas et al.(1972) с золотыми / никелевыми проводниками на стекле и успешно использовались для регистрации потенциалов действия сердечных миоцитов. Первые записи потенциалов действия от отдельных нейронов были зарегистрированы в 1977 году с использованием спонтанно активных ганглиев Helix pomatia (улитка) (Gross et al., 1977, Gross, 1979). В этих экспериментах использовалась стеклянная пластина, украшенная 36 тонкопленочными золотыми проводниками на титане, шириной 12 мкм, изолированными полисилоксаном и деизолированными одиночными импульсами лазера (импульсный азотный лазер, 337 нм).Следующий крупный шаг вперед был сделан Дж. Пайном (1980), когда первые сигналы от культур центральной нервной системы млекопитающих были получены с помощью 16-электродной матрицы. За этим быстро последовали записи из нейронных сетей спинного мозга мышей (Gross et al., 1982; Gross and Lucas, 1982, Droge et al., 1986) и введение прозрачного оксида индия и олова в качестве электродного материала (Gross et al., 1985), чтобы минимизировать оптические потери, вызванные непрозрачными электродными материалами.
Рисунок 3: Пример конформного MEA для использования с срезами гиппокампа с записывающими и стимулирующими столбцами (R и S на вставке, соответственно).Воспроизведено из Gholmie et al. (2006) с разрешения.В дополнение к ранним разработкам пассивных планарных массивов и последующему участию коммерческих предприятий, таких как Multichannel Systems в Ройтлингене, Германия, Panasonic США и Аянда в Швейцарии, простота фотолитографии позволила различным исследовательским группам изготавливать нестандартные массивы, подходящие для их исследовательские цели. Это особенно верно для записи срезов, когда особая геометрия массива была введена для оптимизации мониторинга активности из разных областей мозга с определенной геометрией: сетчатки (Grumet et al., 2000; Meister et al., 1991), спинной мозг (Borkholder et al., 1997; Streit et al., 2006) и гиппокамп (Boppart et al., 1992; Egert et al., 1998; Novak and Wheeler, 1988; Thiebaud et al., 1997, Oka et al., 1999; Gholmieh et al., 2006). Также были введены трехмерные массивы с электродами в форме наконечников для проникновения в слой мертвых клеток срезов (Heuschkel et al., 2006).
Конформный MEA гиппокампа (cMEA), созданный исследовательской группой Berger в USC, показан на рисунке 3 (Gholmieh et al, 2006).Другие интересные новые разработки включают в себя многолуночные пластиковые чашки с небольшими межлуночными каналами, которые позволяют прохождение нейритов, обеспечивая отличную запись через каналы с высоким сопротивлением с одиночными электродами (Claverol-Tinture, 2009).
Связь между клеткой и электродом в первичных культурах клеток
Диссоциированная эмбриональная ткань образует тесный контакт с гидрофильной изоляционной поверхностью. Однако молекулы, улучшающие адгезию, обычно применяются для улучшения адгезии и долговременной стабильности.Было опробовано большое количество материалов, способствующих адгезии, среди которых наиболее распространены полилизин или полиорнитин (McKeehan and Ham, 1976) и ламинин (Hunter et al., 1991). Гидрофобные поверхности могут быть «активированы» плазменным травлением или пламенем, прежде чем они станут украшением полилизином. Последняя процедура включает воздействие пламени бутана в течение одной секунды, она проста и экономична (Lucas et al., 1986). Он имеет дополнительное преимущество, заключающееся в непосредственном образовании островков адгезии за счет пламени через маски.
Рисунок 4: Три микроэлектрода, расположенных на расстоянии 40 мкм латерально с прикрепленными аксонами. Более 70% записей получены с аксонов (на основе трехфазных форм волны). Горизонтальные проводники этой конкретной версии MEA имеют ширину 12 мкм. Глии трудно увидеть, но они существуют как под нейронными цепями, так и над ней. Окрашивание Бодиана, интерференционная контрастная микроскопия. Рис. 5. Профили формы волны, созданные с помощью программного обеспечения Plexon Inc. Rasputin. Цифровые сигнальные процессоры (DSP) производят выборку с частотой 40 кГц и отображают плавные формы сигналов, четыре из которых можно различить в реальном времени на одном электроде, при условии существенных различий в размере и форме (левая панель).На правой панели показан результат в 50 выделенных единиц при ручном назначении 32 DSP полю из 64 электродов.Приклеенный «монослой» на самом деле представляет собой неглубокий трехмерный объем с нейронами, расположенными на поверхности глиального ковра, и нейритами как наверху, так и под ковром. Вертикальные расстояния варьируются от 3 мкм над глией до более 10 мкм над перикарией нейронов. Независимо от выбранного ковалентного декора поверхности, использование полилизина или полиорнитина, а также неизбежного клеточного дебриса, образующегося во время посева клеток, маскирует химические характеристики исходной поверхности и создает довольно сложную неспецифическую адгезионную среду.Очень высокие отношения сигнал / шум (SNR) достигаются, когда активный процесс пересекает регистрирующий кратер и покрывается глией (Рисунок 4 и Рисунок 5). На ранних стадиях развития сети было замечено, что глия поднимается над прикрепленными нейритами, что нейриты поднимаются на глию и над ней, но эти прилипшие тела нейронных клеток поднимаются, приближаясь к глию, которая растет между субстратом и мембраной сомы. Полный контроль над этой стратификацией и глиальным покрытием еще не достигнут, но может дать очень большие сигналы (порядка 1 мВ) и высокий выход электродов.Следует также отметить, что оптимальная геометрия кратера не совсем понятна, за исключением неоднократно продемонстрированного факта, что утопленные электроды обеспечивают более высокое отношение сигнал / шум из-за повышенного сопротивления растеканию относительно земли и квазиизолированности электрода глией.
Важно понимать, что отношение клеточной массы к площади адгезии не может быть слишком большим, так как это приводит к региональному или глобальному сокращению компонентов сети. Большие пучки, если они разрешены или даже поощряются к формированию сетей (как в «упорядоченных сетях»), развивают напряжение и обычно отрываются от основы.Наилучшую стабильность получают квазимонослои нейронов и глии с плотностью нейронов, не превышающей 500 на мм 2 , и рост глии, контролируемый антимитотиками, такими как фтор-2’-дезоксиуридин (Ransom et al., 1977). Однако антимитотики не обязательны. Чрезмерный рост глии скрывает морфологию сети и часто способствует ретракции тканей по краям сети, но не мешает записи.
Рисунок 6: Стабилизация числа нейрональных клеток через 20 дней in vitro.Идентификация была основана на антителах к нейрофиламентам, иммуноцитохимии и окрашивании Бодиана, модифицированном Лутсом. Линейная регрессия основана на данных окрашивания Бодиана и отражает 3% -ную потерю нейронов в месяц.После первоначальной потери нейронов в первые 10–15 дней после посева культуры стабилизируются с минимальным снижением количества нейронов (рис. 6). При нынешних протоколах поддержания культуры возможно выживание первичных культур от 6 до 12 месяцев (Gross, 1994; Potter and DeMarse, 2001).По практическим причинам в большинстве экспериментов используются культуры возрастом от 4 до 8 недель. Морфологическая и электрофизиологическая стабильность обычно достигается к 3-4 неделям роста in vitro. По истечении этого времени происходит только минимальное движение клеток, и с высокой вероятностью проявляются уникальные тканеспецифические паттерны активности (см. Ниже).
Рисунок 7: Одновременная запись нативной активности из нескольких каналов из трех разных тканей ЦНС: (A) спинной мозг, (B) средний мозг и (C) кора головного мозга. Панели представляют 40 секунд активности в виде растровых графиков, где отметки времени от пересечения пороговых значений потенциалов действия представлены в виде вертикальных отметок.Разрешение отметки времени составляет 25 мкс. Каждая ткань обладает характерной природной активностью, которая обнаруживается почти во всех культурах.Сети в культуре не являются случайными системами, а представляют собой самоорганизованные динамические ансамбли (Bettencourt et al., 2007), а естественные, спонтанные паттерны активности уникальны для сетей, сформированных из тканей различных областей мозга. В то время как корковые сети демонстрируют высоко скоординированный разрыв, ткань среднего мозга демонстрирует высокую частоту спайков со встроенными, минимально скоординированными всплесками, а сети спинного мозга демонстрируют множественные одновременные паттерны с сильными всплесками относительно длительной продолжительности (Рисунок 7).Такие тканеспецифические паттерны наблюдались во многих лабораториях с использованием разных видов мышей, разных протоколов культивирования и разных MEA. Наблюдения демонстрируют мощные внутренние принципы самоорганизации, основанные предположительно на разных типах клеток и относительно уникальных взаимосвязях. Читателя предупреждают, что на такие закономерности влияют биохимия среды, pH и осмолярность среды. Внимание к таким факторам окружающей среды очень важно.
Приложения
В дополнение к очевидным поискам понимания того, как функционируют нейронные ансамбли и как они генерируют или обрабатывают пространственно-временные паттерны потенциала действия (см. Taketani and Baudry, 2006), первичные сети в культуре продемонстрировали удивительный гистотипический (как и исходная ткань) фармакологический эффект. поведение, если он подготовлен, чтобы содержать соотношение нейрональных и глиальных компонентов, аналогичных тем, которые обнаруживаются в родительской ткани (Gross and Gopal, 2006).Следовательно, было предложено, чтобы такие сети на MEAs можно было использовать в качестве эффективных и быстрых платформ для скрининга в фармакологии, токсикологии, для тестирования лекарств и даже в биосенсорах на основе тканей (Gross and Pancrazio, 2006). Подход MEA имеет решающее значение для получения средней системной информации, отказоустойчивого считывания на основе множества ячеек, профилей отклика отдельных нейронов и данных формы волны потенциала действия.
Учитывая гистиотипический характер фармакологических и токсикологических сетевых ответов, применение этих платформ для быстрого скрининга соединений представляет собой естественный следующий шаг.Такие платформы обладают следующими конкретными преимуществами:
- Долгосрочное (от дней до недель) считывание потенциала действия на нескольких участках с идентификацией клеток на основе шаблонов формы волны.
- Контроль за биохимической средой.
- Определение функциональных изменений (при отсутствии гибели клеток).
- Количественная оценка цитотоксичности с использованием спада активности в качестве основного критерия.
- Тесная корреляция между электрофизиологическими и морфологическими изменениями.
- Комбинированное электрофизиологическое и флуоресцентное считывание.
Кроме того, одна мышь с 12 эмбрионами может обеспечить ткань центральной нервной системы, достаточную для засева до 1000 сетей. Это представляет собой очень высокую эффективность использования тканей , которую, однако, нельзя применить на практике, пока не будет разработана технология для массово-параллельных платформ с множеством массивов.
Хотя культуры могут храниться в инкубаторах в течение многих месяцев. Эффективное время выживания на внешних записывающих платформах варьируется в зависимости от условий стерильности, устойчивости жизнеобеспечения и экспериментальных манипуляций.Обычно на таких платформах с непрерывной записью можно работать от пяти до десяти дней.
Фармакология и токсикология
Рисунок 8: Последовательное фармакологическое упрощение синаптических движущих сил в сети спинного мозга с использованием средней скорости всплеска и продолжительности всплеска в качестве переменных активности. Каждая точка данных представляет собой усредненные значения с интервалом в одну минуту. После добавления NBQX сеть переходит в очень регулярное и стабильное пакетное состояние со скоростью 20 ударов в минуту (период: 2,9 +/- 0,3 секунды).На рисунке 8 показан отклик сети спинного мозга с точки зрения средней продолжительности импульса в зависимости от средней скорости всплеска на последовательное добавление различных соединений, предназначенных для блокирования ингибирующих и, частично возбуждающих, синапсов, достигая кульминации в сети, управляемой почти исключительно синапсами NMDA ( Кифер и др., 2001). Начиная с нативной активности, культура получала 40 мкМ бикукуллина для блокирования ингибирования ГАМК, затем 1 мкМ стрихнина для устранения глицинергических ингибирующих влияний, 50 мкМ SCH50119, антагониста ГАМК, и 20 мкМ NBQX для блокирования рецепторов AMPA / каината.Харибдотоксин (15 нМ) и апамин (1 мкМ) противодействуют, соответственно, большой и малой проводимости, активируемым Са ++ K + -каналом, и были использованы для исследования влияния активированного Са ++ BK-канала на паттерны активности. Неожиданным результатом было быстрое развитие очень регулярного всплеска после добавления NBQX с периодами всплеска 2,9 +/- 0,3 секунды (18-23 всплеска в минуту). Последующее добавление холинэргических и дофаминергических блокаторов не оказало заметного влияния на конечное состояние «только NMDA».
Рисунок 9: График глобальной сетевой активности, построенный на основе средней активности в интервале длительностью одну минуту (или больше).Анализы требуют плато активности с нулевым наклоном, по которым определяют нормализованные процентные снижения. Такие основные графики производительности сети затем могут быть дополнены анализом структуры пакетов и множеством появляющихся инструментов нелинейного анализа.Сложность деятельности и вариативность спонтанной активности в сети часто приводят к комментариям, что «управление данными и анализ в течение длительных периодов времени невозможны». В области фармакологии и токсикологии это просто не так.Здесь реакции медленные, и необходимость ждать равновесия после применения тестируемого соединения требует периодов наблюдения от 20 до 30 минут. Можно сжать одну минуту активности по всем каналам в одну точку данных и выразить глобальную сетевую активность как «среднее значение за минуту» (рисунок 9). На основе этой разбитой популяции можно наблюдать и количественно оценить всю историю сети до, во время и после составного приложения.
Рисунок 10: Электрофизиологическая количественная оценка токсичности ацетата цинка с одновременными морфологическими наблюдениями.Точки данных представляют собой средний всплеск активности сети (левая ордината) и всплеск активности (правая ордината) в интервале времени в одну минуту. Диагональный проводник имеет ширину 8 мкм. Осмотическое набухание убивает все нейроны и глии за определенный период времени. Нижняя панель: логарифмическое / логарифмическое представление времени, необходимого для потери активности на 50%, как функции концентрации ацетата цинка в среде с сывороткой и без нее. 5% сыворотка защищает при низких концентрациях. (из Парвиза и Гросса, 2007 г.)Глобальные графики активности позволяют рассчитывать различные фармакологические параметры, такие как кривые зависимости от концентрации, EC 50 (EC 50 : эффективная концентрация для 50% изменения активности) или значения ET 50 (ET 50 (C): эффективное время, необходимое для 50% изменения активности при постоянной концентрации тестируемого соединения), обратимость и даже константы диссоциации.Рисунок 10 демонстрирует комбинированный электрофизиологический и оптический мониторинг сетевых ответов на 200 мкМ ацетата цинка, выявляя корреляцию между снижением активности и морфологическими признаками клеточного стресса и гибели. Количественная оценка спада образования пиков сети более поддается количественной оценке, чем использование морфологических признаков.
На рисунках 11 и 12 показаны результаты более количественных фармакологических исследований. Относительно незначительные сдвиги в значениях EC 50 могут быть продемонстрированы путем сравнения реакции на дозу флуоксетина с таковой флуоксетина и этанола (Xia and Gross, 2003).Константы диссоциации также были определены с помощью технологии MEA. На Фигуре 12 показан сдвиг кривых зависимости реакции от дозы агониста ГАМК мусцимола в присутствии конкурентного антагониста бикукуллина. Затем график Шильда позволяет экстраполировать константы диссоциации. На Фигуре 9В показан такой график для антагонистов бикукуллина, габазина и триметилол-попанфосфата (Rijal-Oli and Gross, 2008).
| Рисунок 11: Систематический сдвиг IC50 флуоксетина (красный) с 4,3 +/- 0.От 2 до 2,7 +/- 0,2 в присутствии 20 мМ этанола (черные кривые). Перерисовано из Xia and Gross, 2003. | Рисунок 12: (A) Сдвиг кривых зависимости реакции от дозы мусцимола в сторону более высоких концентраций в присутствии возрастающих концентраций бикукуллина. (B) График Шильда для трех антагонистов, приводящий к константам диссоциации (отрезки по x) 0,23, 0,61 и 3,98 мкМ для габазина, бикукуллина и ТМФП, соответственно. |
Биосенсоры
Нейронные сети на массивах микроэлектродов являются физиологическими сенсорами, а не «обонятельными системами».Они сообщают о воздействии нейроактивных и токсичных веществ в концентрациях, влияющих на физиологические функции. Следовательно, их можно рассматривать как «широкополосные биосенсоры», поскольку они реагируют на известные и неизвестные соединения (Gross and Pancrazio, 2006). Неизвестные соединения можно классифицировать, сравнивая паттерны ответов с библиотекой записанных ответов (Gramowski et al., 2004). Были разработаны прототипы удаленных станций (Pancrazio et al. 2003). Однако проблема замены сенсора (то есть сети) не решена, и требуемые программы автоматизированного анализа данных все еще нуждаются в разработке.На рис. 13 показан простой протокол анализа, который может предоставить полезные данные, особенно при обнаружении нового вещества.
Рисунок 13: Блок-схема оценки веществ для сетевых ответов на неизвестные соединения. Важно понимать, что культуры содержат нейроны и глию и могут сообщать о функциональной токсичности (потеря активности в отсутствие цитотоксичности), нейротоксичности (потеря нейронов) и общей цитотоксичности.
Сколько электродов достаточно?
Количество микроэлектродов, необходимое для анализа, зависит от сложности анализируемого рисунка.Для этого запроса нет простой формулы. Реакция населения должна быть репрезентативной для индуцированных динамических изменений. Не все клетки реагируют одинаково. Даже относительно медленные фармакологические реакции показывают субпопуляции, феномен, который еще не получил достаточного экспериментального внимания. Например, Ся и Гросс сообщили в 2003 году, что применение 40 мМ этанола к 14 культурам лобной коры (200 зарегистрированных единиц) уменьшило пикинг в 71% нейронов, увеличило возбуждение в 20% и не дало эффекта в 9%.Подобные эффекты этанола наблюдались в голубом пятне (Pohorecky and Brick, 1977), а также в пирамидных нейронах CA1 и CA3 в срезах гиппокампа (Siggins et al., 1987). Выборка становится еще более сложной, если мы пытаемся разделить аксональные, сомальные и дендритные сигнатуры на основе формы волны. Информационный трафик в сети, вероятно, лучше всего представлен паттернами потенциала действия аксонов. Хотя трехфазную форму волны бегущего потенциала действия относительно легко распознать, в настоящее время общепринятой практикой является принятие любого сигнала, который может быть надежно зарегистрирован.Учитывая эти проблемы, разумно поддерживать как можно большее количество электродов.
Исследования генерации образов и обработки информации
В то время как количественная фармакология и определение токсичности веществ оказались относительно простыми, если обеспечена стабильная жизнеобеспечение и используются соответствующие протоколы применения, исследования пластичности, обучения, обработки шаблонов и отказоустойчивости оказались более трудными. Предполагается, что первый домен регулируется в первую очередь фармакологической чувствительностью типов клеток, рецепторов и синапсов, обнаруженных в культуре, а не детальной схемой.Однако, похоже, что на обработку информации, по крайней мере, в равной степени влияют схемы, установленные in vitro. Такую схему, даже в этих очень упрощенных системах, сложно определить морфологически. Однако в настоящее время наблюдается прогресс в установлении функциональной связи (Eytan и Marom, 2006; Bettencourt et al., 2007; Eckmann et al., 2008; Ham et al. 2008). Явления тонкой пластичности также поддаются исследованию (Jimbo et al, 1999; Shahaf and Marom, 2001), и выявляются динамические аттракторы в моделях активности (Beggs, Plenz, 2004; Wagenaar et al., 2006).
Прототип платформы с несколькими массивами
Приложения в исследованиях выигрывают от параллельных записывающих массивов, которые позволяют одновременно проводить экспериментальные и контрольные исследования и предоставлять статистические результаты за короткий период времени. Для скрининга эффективности и токсичности лекарств эти подходы к высокой пропускной способности необходимы, и платформы должны быть расширены до максимально возможного числа сетей. Эти усилия представляют собой серьезную техническую и программную проблему в областях жизнеобеспечения, точности дозирования, воспроизводимости и автоматического анализа данных.
Прототип 8-сетевого MEA был разработан CNNS и показал себя многообещающим в многочисленных экспериментах. Поддержание жизнедеятельности обеспечивается за счет атмосферы с 10% CO2 и 30% влажности с добавлением воды роботами, определенным эмпирическим путем, для поддержания осмолярности. И робот (Biotek Precision 2000), и 32-канальные предусилители Plexon VLSI хорошо работают в такой среде.
| Рис. 14: (A) пластина с 8 сетками (90 x 56 x 1,1 мм), обслуживаемая 32 крестообразными микроэлектродами на зону записи (всего 256).Контактные пальцы усилителя имеют ширину 300 мкм с шагом 300 мкм. Большие кружки показывают положение контакта уплотнительных колец блока камер; маленькие кружки обозначают посевные площади. (B) Одна из 8 областей записи. (C) Собранная записывающая камера с предусилителями в климатической камере с роботизированным обслуживанием среды и применением тестируемого вещества. |
Модификация электродов углеродными нанотрубками
Значительного снижения импеданса электродов (до 23-кратного) можно достичь, декорируя открытые участки записи металла углеродными нанотрубками (УНТ) или органическими проводящими полимерами (Keefer et al.2008 г.). Эта простая электролитическая модификация позволяет дополнительно уменьшить размеры проводника, диаметры места записи и значительно увеличить плотность электродов без ущерба для оптического доступа и отношения сигнал / шум. В частности, возможное уменьшение размера оптически непрозрачного места записи, которое обычно мешает морфологическим определениям связи между ячейкой и электродом, может внести важный вклад в отслеживание цепи.
| Рис. 15. Места записи модифицированного углеродными нанотрубками оксида индия и олова в МЭБ, деизолированном лазером.(A) Микрофотография в светлом поле центральной области МЭБ с прозрачными проводниками ITO с записывающими кратерами, украшенными золотом (два столбца слева; Z = 800 кОм 1 кГц) и золотыми / углеродными нанотрубками (два столбца справа, Z = 40 кОм) . Бар: 150 мкм. (B) Место записи (около 20 мкм в диаметре; золото на ITO) после декорирования УНТ), стержень: 15 мкм. (C и D) Более высокие увеличения поверхности микроэлектрода (x 7360 и x 14 700), демонстрирующие уникальную организацию УНТ в относительно короткие эллиптические пучки.Неровные элементы в B и C являются результатом лазерной деизоляции (импульсный азотный лазер), который испаряет некоторое количество ITO и вызывает снятие давления метилтриметоксисилановой смолы над зоной удара. |
Список литературы
- Беггс Дж. М., Пленц Д. (2004). Нейрональные лавины представляют собой разнообразные и точные паттерны активности, которые стабильны в течение многих часов в культурах кортикальных срезов. J Neurosci 24: 5216-5229.
- BeMent SL, Wise KD, Anderson DJ, Najafi K, Drake KL.(1986). Твердотельные электроды для многоканальной мультиплексной интракортикальной записи нейронов. IEEE Trans Bio-Med. Engr, т. БМЕ-33: 230-241.
- Бетанкур Л.М., Стивенс, Г.Дж., Хэм, М., и Гросс, Г.В. (2007). Функциональная структура корковых нейронных сетей, выращенных in vitro. Physical Reviews E 75, 021915-1-10.
- Боппарт С.А., Уиллер BC, Уоллес С.С. (1992). Гибкая перфорированная матрица микроэлектродов для расширенных нейронных записей. IEEE Trans Biomed Eng.; 39 (1): 37–42.
- Боркхолдер Д., Бао Дж., Малуф Н., Перл Е., Ковач Г. (1997). Матрицы микроэлектродов для стимуляции препаратов нервных срезов, Journal of Neuroscience Methods, 77: 61-66.
- Крейн С.М. (1976) Нейрофизиологические исследования в культуре тканей. Raven Press, Нью-Йорк.
- Дроге, MH, Gross GW, Hightower MH, Czisny, LE (1986). Многоэлектродный анализ скоординированного ритмического взрыва в культивируемых монослойных сетях ЦНС. J. Neuroscience 6: 1583-1592.
- Экманн Дж.П., Якоби Дж., Маром С., Моисей Е., Збинден С. (2008). Лидирующие нейроны в популяционных всплесках 2D живых нейронных сетей. Новый журнал физики 10: 1-19.
- Egert U, Schlosshauer B, Fennrich S, Nisch W., Fejtl M, Knott T. (1998). Новая органотипическая долгосрочная культура гиппокампа крысы на интегрированных в субстрат многоэлектродных массивах. Brain Res Protoc.2 (4): 229–42.
- Эйтан Д., Маром С. (2006). Динамика и эффективная топология, лежащие в основе синхронизации в сети корковых нейронов.J. Neurosci. 26: 8465-8476.
- Fromherz P, Offenhausser A, Vetter T, Weiss J (1991). Переход нейрон-кремний: клетка Ретциуса пиявки на полевом транзисторе с изолированным затвором. Наука 31, Vol. 252: 1290–1293
- Gholmieh G, Soussou W., Han M, Ahuja A, Hsiao M-C, Song D, Tanguay AR Jr, Berger TW (2006). Специально разработанные конформные плоские многоэлектродные матрицы высокой плотности для электрофизиологии срезов мозга. J. Neurosci. Meth. 152: 116–129.
- Gramowski A, Juegelt K, Weiss DG, Gross GW (2004). Идентификация вещества путем количественной характеристики колебательной активности в сетях спинного мозга мышей на решетках микроэлектродов. European J. Neurosci., 19: 2815-2825.
- Gross GW, Rieske E, Kreutzberg GW, Meyer A (l977). Новая система мультимикроэлектродов с фиксированной решеткой, предназначенная для длительного мониторинга внеклеточной единичной нейрональной активности in vitro. Neurosci. Lett. 6: 101-105.
- Полная масса (1979). Одновременная одиночная запись in vitro с фототравленной лазерной деизолированной золотой мультимикроэлектродной поверхностью. IEEE Trans. Биомед. Англ. БМЕ-26: 273-279.
- Gross GW, Williams AN. Лукас, Дж. Х (1982 г.). Регистрация спонтанной активности с фототравлением поверхностей микроэлектродов спинномозговых нейронов мыши в культуре. J. Neurosci. Meth. 5: 13-22.
- Gross GW, Лукас Дж. Х. (1982). Долгосрочный мониторинг спонтанной единичной активности нейронных монослойных сетей, выращенных на фототравленных мультиэлектродных поверхностях.J. Electrophys. Tech. 9: 55-69.
- Gross GW, Wen W, Lin J (1985). Прозрачные паттерны оксида индия-олова для внеклеточной многоузловой записи в культурах нейронов. J. Neurosci. Meth. 15: 243-252.
- Полная полная масса (1994). Внутренняя динамика рандомизированных нейронных сетей млекопитающих в культуре. В: Stenger DA, McKenna TM, редакторы. Включение технологий для культивируемых нейронных сетей. Нью-Йорк: Academic Press; С. 277–317.
- Gross GW и Gopal KV (2006).Новые гистиотипические свойства культивируемых нейронных сетей. В: М. Такетани и М. Бодри (ред.) «Достижения в сетевой электрофизиологии с использованием многоэлектродных решеток». Springer, стр. 193-214.
- Gross GW, Pancrazio JPP (2006). Нейрональные сетевые биосенсоры. В: Smart Biosensor Technology (G.K. Knopf and A.S. Bassi, ред.), Taylor and Francis Publishers, CRC Press. С. 177-201.
- Grumet AE, Wyatt JL Jr, Rizzo JF III (2000). Мультиэлектродная стимуляция и запись в изолированной сетчатке.J. Neurosci. Методы 101: 31–42.
- Ham MI, Bettencourt LMA, McDaniels FD, Gross GW (2008). Спонтанная координированная активность в культивируемых сетях: анализ множественных участков возгорания, первичных цепей и распределений задержки фазы всплеска. J. Comp Neurosci 24 (3) 346-357.
- Heuschkel MO, Wirth C, Steidl E-M, Buisson B (2006). Разработка трехмерных многоэлектродных решеток для использования с острыми срезами тканей. В: Такетани М. и Бодри М. (ред.) Достижения в сетевой электрофизиологии.Springer, стр 69-111.
- Хантер Д.Д., Кэшман Н., Моррис-Валеро Р., Баллок, Дж. У., Адамс С. П., Санес Дж. Р. (1991). LRE (лейцин-аргинин-глутамат) -зависимый механизм адгезии нейронов к S-ламинину. Журнал неврологии, 11 (1 2): 3960-3971.
- Джимбо Y, Татено Т, Робинсон HPC (1999). Одновременная индукция потенцирования и депрессии, специфичных для путей, в сетях корковых нейронов. Biophys J 76: 670–678.
- Keefer EW, Gramowski A, Gross GW (2001).Зависимые от рецептора NMDA периодические колебания в культивируемых сетях спинного мозга. J. Neurophysiol. 86: 3030-3042.
- Кифер Э.В., Боттерман Б.Р., Ромеро М.И., Росси А.Ф., Гросс Г.В. (2008). Покрытие углеродных нанотрубок улучшает запись нейронов. Природа нанотехнологий 3: 434 — 439.
- Ковач, GTA (1994). Введение в теорию, проектирование и моделирование тонкопленочных микроэлектродов для нейронных интерфейсов. В: Stenger, D.A. и Маккенна Т. ред., «Возможные методы для культивируемых нейронных сетей».Academic Press, Сан-Диего, стр. 121–165.
- Lucas JH, Czisny LE, Gross GW (1986). Адгезия культивируемых нейронов ЦНС млекопитающих к модифицированным пламенем гидрофобным поверхностям. In vitro. 22: 37-43.
- Маккихан В.Л., Хэм Р.Г. (1976). Стимуляция клонального роста нормальных фибробластов субстратами, покрытыми основными полимерами. J. Cell Biol. 71: 727-734.
- Мейстер М., Вонг РОЛ, Бейлор Д.А., Шац С.Дж. (1991). Синхронные всплески потенциалов действия в ганглиозных клетках развивающейся сетчатки млекопитающих.Наука 252: 939-943.
- Моралес Р., Рис М., Ван Л., Гавин Р., Дель Рио Х.А., Алькубилла Р., Клавероль-Тинтуру Э. (2008). Интеграция многоблочных электрофизиологических и пластических чашек для сетевой нейробиологии. Лабораторный чип. 11: 1896-905. Epub 2008 7 октября.
- Новак Ж.Л. Уиллер BC (1988). Запись и стимуляция многосайтовых срезов гиппокампа с использованием 32-элементной микроэлектродной матрицы. J. Neurosci. Meth. 23: 149-159.
- Ока Х, Шимоно К., Огава Р., Сугихара Х., Такетани М. (1999).Новая планарная многоэлектродная матрица для внеклеточной записи: приложение к острому срезу гиппокампа. J. Neurosci. Meth. 93: 61-67.
- Панкрацио Дж. Дж., Грей С.А., Шубин Ю.С., Каттино Д.С., Шаффер К.М., Эйсеманн К., Курран А., Зим Б., Гросс Г.В., О’Шонесси Т.Дж. (2003). Портативная записывающая система с матрицей микроэлектродов, включающая культивируемые нейронные сети для обнаружения нейротоксинов. Биосенсоры и биоэлектроника 18: 1339-1347.
- Парвиз М., Gross GW (2007).Количественная оценка токсичности цинка с использованием нейронных сетей на массивах микроэлектродов. Нейротоксикология 28 (3): 520-531.
- Сосна J (1980). Регистрация потенциалов действия от культивируемых нейронов с помощью электродов внеклеточной микросхемы. J Neurosci Meth 2: 19-31.
- Сосна J (2006). История развития МПС. В: Такетани М. и Бодри М., под ред., «Достижения в сетевой электрофизиологии». Спрингер, Нью-Йорк, с. 3-23.
- Похорецкий Л.А., Брик Дж. (1977).Активность нейронов голубого пятна крысы: ингибирование этанолом. Исследование мозга 131, 174–179.
- Поттер С.М., ДеМарс ТБ. (2001) Новый подход к культуре нервных клеток для долгосрочных исследований. J Neurosci Methods 110: 17–24.
- Ransom BR, Christian CN, Bullock PN, Nelson PG (1977) Спинной мозг мыши в культуре клеток. I. Морфология и внутренние электрофизиологические свойства нейронов. J. Neurophysiol. 40: 1132-1150.
- Rijal-Oli S, Gross GW (2008).Определение констант диссоциации с использованием спонтанной активности нейронных сетей, записанной с помощью массивов микроэлектродов in vitro. Журнал методов неврологии 173 (2008) 183–192.
- Schmidt EM (1999) Электроды для записи множества одиночных нейронов. В: Методы нейронных ансамблевых записей (М. Николелис, ред.), CRC Press, стр. 1-23.
- Шахаф Г., Маром С. (2001). Обучение в сетях корковых нейронов. J Neurosci 21: 8782–8788.
- Зиггинс Г. Р., Питтман К. Дж., Французский ED (1987).Влияние этанола на пирамидные клетки CA1 и CA3 в препарате среза гиппокампа: внутриклеточное исследование. Brain Research 414, 22-34.
- Streit J, Tscherter A, Darbon P (2006). Генерация ритма в спинальных культурах: нейрон или сеть? В: Такетани М. и Бодри М. (ред.) Достижения в сетевой электрофизиологии. Springer, стр 377-408.
- Такетани М. и Бодри М. (2006). Достижения в сетевой электрофизиологии с использованием многоэлектродных решеток.Springer.
- Thiebaud P, de Rooij NF, Koudelka-Hep M, Stoppini L (1997). Матрицы микроэлектродов для электрофизиологического мониторинга культур органотипических срезов гиппокампа. IEEE Trans Biomed Eng; 44 (11): 1159–63.
- Томас CA мл., Springer PA, Loeb GW, Berwald-Netter Y, Okun LM (1972). Миниатюрная матрица микроэлектродов для контроля биоэлектрической активности культивируемых клеток. Exp. Cell Res. 74: 61-66.
- Wagenaar DA, Pine J, Potter SM (2006).Чрезвычайно богатый репертуар разрывных паттернов при развитии корковых культур. BMC Neurosci 7:11.
- Мудрый К.Д., Энджелл Дж. Б., Старр А. (1970). Интегральная схема внеклеточных микроэлектродов. IEEE Trans. Био-Мед. Ангр., Т. BME-17, стр. 238, июль 1970 г.
- Xia, Y, Gross, GW (2003). Гистотипические электрофизиологические ответы культивируемых нейронных сетей на этанол. Алкоголь 30: 167-174.
Дополнительная литература
- Джонстон, А.Ф.М., Гросс Г.В., Вайс, Д.Г., Шредер, О., Грамовски, А., Шафер, Т.Дж. (2010). Массивы микроэлектродов: платформа для тестирования нейротоксичности, основанная на физиологии, для 21 века. NeuroToxicology 31: 331–350.
- Gandolfo, M., Maccione, A., Tedesco, M., Martinoia, S., Berdondini, L. (2010) Отслеживание паттернов всплеска в культурах гиппокампа с помощью CMOS-MEA высокой плотности. Дж. Нейронная инженерия 7: 1-16.
